거래소 공시

레이크머티리얼즈 주식 주가 목표 차트 시세 공시 거래소 추천주 전망 및 기업 분석 배당금 수익률 증권

7006 2024. 5. 24. 20:47
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레이크머티리얼즈 주식 주가 목표 차트 시세 공시 거래소 추천주 전망 및 기업 분석 배당금 수익률 증권

 


 


I. 회사의 개요

1. 회사의 개요



가. 연결대상 종속회사 개황
가-1. 연결대상 종속회사 현황(요약)

(단위 : 사)
구분 연결대상회사수 주요
종속회사수
기초 증가 감소 기말
상장 - - - - -
비상장 3 - - 3 1
합계 3 - - 3 1
※상세 현황은 '상세표-1. 연결대상 종속회사 현황(상세)' 참조

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가-2. 연결대상회사의 변동내용

구 분 자회사 사 유
신규
연결 - -
- -
연결
제외 - -
- -

나. 회사의 법적ㆍ상업적 명칭
당사의 국문 명칭은 「(주)레이크머티리얼즈」이며, 영문 명칭은 LAKE MATERIALS Co., Ltd 입니다.

다. 설립일자 및 존속기간
2010년 5월 13일에 설립되어, 유기금속화합물의 연구, 제조 및 판매 등을 주 영업목적으로 영위하고 있으며, 세종특별시 전의면 산단길 22-144에 본사 및 공장을 두고 있습니다. 또한 당사는 코스닥 시장 상장을 위하여 동부제5호 기업인수목적 주식회사와 2020년 3월 4일(합병등기일)에 합병을 완료하였으며, 합병이후 사명을 주식회사 레이크머티리얼즈로 변경하였습니다.

라. 본사의 주소, 전화번호, 홈페이지 주소

구 분 내 용
본점소재지 세종특별시 전의면 산단길 22-144 
전화번호 041-561-9400
홈페이지 http://www.lakematerials.co.kr


마. 중소기업 등 해당 여부

중소기업 해당 여부 해당

벤처기업 해당 여부 해당
중견기업 해당 여부 미해당

바. 주요 사업의 내용 및 향후 추진하려는 신규사업
당사 및 그 종속회사는 유기금속화합물 설계 및 TMA 제조기술 기반으로 하여 반도체, Solar, LED, 메탈로센촉매, 디스플레이 등의 소재로 사용되는 초고순도 유기금속 화합물을 개발 및 공급하는 유기금속 화합물 전문 회사 입니다. 기타 자세한 사항은 동 공시서류의  'II. 사업의 내용'을 참조하시기 바랍니다.

사. 신용평가에 관한 사항
(1) 최근 신용평가 내역
등급평가일 기업신용등급 평가회사 평가구분
2022.04.18 BBB- (주)이크레더블(AAA ~ D) 정기평가
2023.04.20 BBB- (주)이크레더블(AAA ~ D) 정기평가
2024.04.24 BB+ (주)이크레더블(AAA ~ D) 정기평가



(2) 신용평가회사의 신용등급 정의

신용
등급 신용등급의 정의
AAA 채무이행능력이 최고 우량한 수준임
AA 채무이행 능력이 매우 우량하나 AAA보다는 다소 열위한 요소가 있음
A 채무이행 능력이 우량하나, 상위등급에 비해 경기침체 및 환경변화의 영향을 받기 쉬움
BBB 채무이행 능력이 양호하나, 장래 경기침체 및 환경변화에 따라 채무이행 능력이 저하 될 가능성이 내포되어 있음
BB 채무이행 능력에 문제가 없으나 경제여건 및 시장환경 변화에 따라 그 안정성면에서는 투기적인 요소가 내포되어 있음
B 채무이행 능력이 있으나, 장래의 경제 환경 악화시 채무불이행 가능성이 있어 그 안정성면에서 투기적임
CCC 현재시점에서 채무불이행이 발생할 가능성을 내포하고 있어 매우 투기적임
CC 채무불이행이 발생할 가능성이 높음
C 채무불이행이 발생할 가능성이 매우 높음
D 현재 채무불이행 상태에 있음
NCR 허위 및 위/변조자료 제출 등 부정당한 행위가 확인되어 기존의 등급을 취소, 정지, 변경
(주)신용등급은 평가자의 필요에 따라 동일 등급내  +,o,-로 세분화할 수 있습니다.



아. 회사의 주권상장(또는 등록ㆍ지정) 및 특례상장에 관한 사항

주권상장
(또는 등록ㆍ지정)현황 주권상장
(또는 등록ㆍ지정)일자 특례상장 유형
코스닥시장 상장 2020년 03월 23일 해당사항 없음




2. 회사의 연혁


가. 당해기업의 주요 연혁
일자

주요 연혁 및 실적

2010년 09월

기업부설연구소 설립, 벤처기업 인증

2010년 10월

ATMI Inc.(미국) 투자유치

2011년 03월

TMG/TMA 양산 및 Qual Pass

2011년 05월
ISO 9001/14001 인증 획득

2012년 09월

MAO 양산 시작 및 Qual Pass

2013년 03월

㈜레이크머티리얼즈로 상호 변경

2013년 05월

반도체 CVD전구체 TMA Qual Pass

2014년 01월

중국법인 설립

2014년 03월

디스플레이 전구체 Qual Pass, Solar Passivation용 TMA Qual Pass

2014년 12월

5백만불 수출의 탑 수상/무역의 날 산업통상부장관상 수상

2015년 05월

반도체 High-k 전구체 Qual Pass

2015년 08월

OLED Encap 전구체 Qual Pass

2016년 05월

천안 공장 준공(천안5산업단지)

2016년 12월

천만불 수출의 탑 수상/벤처유공자 대통령상 수상

2017년 06월

글로벌 강소기업 육성사업 선정

2017년 11월

반도체용 SiO2/SiN 전구체 Qual Pass

2018년 07월

신 촉매 Plant 완공

2018년 08월

TEOS Qual Pass 및 양산 공급 시작

2020년 03월 코스닥시장 상장(동부제5호기업인수목적주식회사와의 SPAC합병 상장)
2020년 09월 (주)레이크테크놀로지 설립
2021년 11월 강소기업100+ 선정
2021년 12월 2천만불 수출의 탑 수상
2022년 11월 제14회 대한민국코스닥대상 "금융위원회 위원장상" 수상
2022년 12월 3천만불 수출의 탑 수상
2023년 06월 LAKE MATERIALS AMERICA, INC. 설립


나. 회사의 본점소재지 및 그 변경
일자

내  용

최초

대전광역시 유성구 관평동 1359 한신에스메카 408호

2011.02.14

세종특별자치시 전의면 산단길 22-144



다. 경영진 및 감사의 중요한 변동

변동일자 주총종류 선임 임기만료
또는 해임
신규 재선임
2020년 01월 30일 임시주총 사내이사 김진동
사내이사 송창호
사내이사 남일남
사외이사 조영락
감      사 이광축 - 합병으로
인한 변경
2021년 03월 29일 정기주총 - 사내이사 송창호 -
2022년 03월 27일 정기주총 감      사 황영호 - 감사 이광축퇴임
2023년 03월 29일 정기주총 - 사내이사 김진동
사내이사 남일남
사외이사 조영락 -
2024년 03월 28일 정기주총 - 사내이사 송창호 -


라. 최대주주 변동

일자 최대주주명 소유주식수 지분율 비고
2017년 09월 22일 (주)에이씨피씨 800,000 95.24 발기인
2017년 12월 12일 (주)에이씨피씨 800,000 16.53 일반공모후
2020년 03월 23일 김진동 18,354,000 28.25 합병신주

마. 상호변경
일자 변경 전 변경 후 비고
2020.03.04 동부제5호기업인수목적 주식회사 (주)레이크머티리얼즈 합병에 따른 상호변경



바. 회사가 화의, 회사정리절차 등 내용과 결과
해당사항이 없습니다.

사. 회사가 합병 등을 한 경우 그 내용
당사는 동부제5호기업인수목적 주식회사와 2019년 10월 11일 합병계약을 체결하였으며, 2020년 3월 4일 합병을 완료하였습니다.

(1) 합병 당시 회사의 개요

구분 합병법인 피합병법인
회사명 동부제5호기업인수목적 주식회사 주식회사 레이크머티리얼즈
대표이사 김성익 김진동
본사 서울특별시 영등포구 국제금융로8길 32  세종특별자치시 전의면 산단길 22-144 (신정리)
법인구분 코스닥시장 상장법인  비상장


(2) 합병일정

구 분 일정
이사회결의일 2019년 10월 11일(금)
합병계약체결일 2019년 10월 11일(금)
주주총회일 2020년 01월 30일(목)
합병기일 2020년 03월 03일(화)
합병등기일 2020년 03월 04일(수)
합병신주 상장예정일 2020년 03월 23일(월)



(3) 합병비율 및 교부

구분 합병법인 피합병법인
회사명 동부제5호기업인수목적 주식회사 주식회사 레이크머티리얼즈
합병비율 1 4.5885



법률적 합병회사인 동부제5호기업인수목적 주식회사는 주식회사 레이크머티리얼즈 기명식 보통주식 1주에 대하여 동부제5호기업인수목적 주식회사의 기명식 보통주식(액면가 :  100원) 4.5885주를 교부합니다. 이로 인하여 동부제5호기업인수목적 주식회사는 주식회사 레이크머티리얼즈의 보통주에 대하여 기명식 보통주식 60,130,548주의 신주를 발행하였습니다.

아. 회사의 업종 또는 주된 사업의 변화

사 업 목 적

비  고

1. 유기금속 화합물 연구, 제조 및 판매

2. 반도체 소재, 부품 개발, 제조 및 판매업

3. 석유화학 촉매 개발 및 제조 판매업

4. 판매대행(중개업) 및 경영컨설팅업

5. 모든 상품의 도소매업

6. 부동산 임대 및 관리업

7. 위 각호에 관련된 부대사업 

정관에 기재된 목적사업

자. 그 밖에 경영활동과 관련된 중요한 사항의 발생 내용
해당사항이 없습니다.



3. 자본금 변동사항



가. 자본금 변동추이


(단위 : 백만원, 주)
종류 구분 당분기말 7기
(2023년말) 6기
(2022년말)
보통주 발행주식총수 65,730,548 65,730,548 65,730,548
액면금액 100 100 100
자본금 6,573 6,573 6,573
우선주 발행주식총수 - - -
액면금액 - - -
자본금 - - -
기타 발행주식총수 - - -
액면금액 - - -
자본금 - - -
합계 자본금 6,573 6,573 6,573




4. 주식의 총수 등



가. 주식의 총수 현황

(기준일 :  2024년 03월 31일 ) (단위 : 주)
구  분 주식의 종류 비고
보통주 우선주 합계
 Ⅰ. 발행할 주식의 총수 500,000,000 - 500,000,000 -
 Ⅱ. 현재까지 발행한 주식의 총수 65,730,548 - 65,730,548 -
 Ⅲ. 현재까지 감소한 주식의 총수 - - - -

 1. 감자 - - - -
 2. 이익소각 - - - -
 3. 상환주식의 상환 - - - -
 4. 기타 - - - -
 Ⅳ. 발행주식의 총수 (Ⅱ-Ⅲ) 65,730,548 - 65,730,548 -
 Ⅴ. 자기주식수 38 - 38 합병신주발행
단수주 인수
 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 65,730,510 - 65,730,510 -



나. 자기주식 취득 및 처분 현황

(기준일 :  2024년 03월 31일 ) (단위 : 주)
취득방법 주식의 종류 기초수량 변동 수량 기말수량 비고
취득(+) 처분(-) 소각(-)
배당
가능
이익
범위
이내
취득 직접
취득 장내
직접 취득 보통주 - - - - - -
우선주 - - - - - -
장외
직접 취득 보통주 - - - - - -
우선주 - - - - - -
공개매수 보통주 - - - - - -
우선주 - - - - - -
소계(a) 보통주 - - - - - -
우선주 - - - - - -
신탁
계약에 의한
취득 수탁자 보유물량 보통주 - - - - - -
우선주 - - - - - -
현물보유물량 보통주 - - - - - -
우선주 - - - - - -
소계(b) 보통주 - - - - - -
우선주 - - - - - -
기타 취득(c) 보통주 38 - - - 38 합병신주발행 단수주 인수
우선주 - - - - - -
총 계(a+b+c) 보통주 38 - - - 38 -
우선주 - - - - - -


다. 종류주식(명칭) 발행현황
당사의 주식은 모두 보통주로써, 보통주 외의 주식은 없습니다.





5. 정관에 관한 사항


가. 주주총회 정관 변경 안건 포함여부
회사 정관의 최근 개정일은 2024.03.28(제7기정기주총) 입니다.

나. 정관 변경 이력

정관변경일 해당주총명 주요변경사항 변경이유
2020년 03월 04일 임시주주총회 - 전자증권제도 도입
- 사채 발행 범위 설정 - 전자증권법의주권 전자등록의무화에 따라 변경
2022년 03월 28일 제5기
정기주주총회 - 감사 선임에 관한 조문 정비
- 정기주주총회 개최 시기 유연성 확보를 위한 조문 정비
- 정관 일부 변경에 의한 시행일 변경 - 주주총회의 감사 선임 의결 요건 완화적용을  정관에 명시적으로  규정함
- 상장사 표준 정관 내용 보완
2024년 03월 28일 제7기
정기주주총회 - 공고 방법(http://www.lake-led.com->http://www.lakematerials.co.kr)- 홈페이지 도메인 변경에 의한 개정


다. 사업목적 현황

구 분 사업목적 사업영위 여부
1 유기금속 화합물 연구, 제조 및 판매 영위
2 반도체 소재, 부품 개발, 제조 및 판매업 영위
3 석유화학 촉매 개발 및 제조 판매업 영위
4 판매대행(중개업) 및 경영컨설팅업 영위
5 모든 상품의 도소매업 영위
6 부동산 임대 및 관리업 미영위
7 위 각호에 관련된 부대사업 미영위



II. 사업의 내용



1. 사업의 개요



연결회사는 유기금속화합물 설계 및 TMA 제조기술 기반으로 하여 반도체, Solar, LED, 메탈로센촉매, 디스플레이 등의 소재로 사용되는 초고순도 유기금속 화합물을 개발 및 공급하는 유기금속 화합물 전문 회사 입니다.

 

연결회사는 소재전문기업(산업통상자원부장관 확인)으로 국내 최초로 TMA를 개발하여 국산화한 기술력을 보유하고 있습니다. 2010년 "Global 최고의 소재기업으로 성장”이라는 사업비전을 가지고 일부 해외기업에 의존하던 LED용 소재의 국산화를 목표로 설립하였으며 이후 반도체, Solar, 디스플레이 소재 및 석유화학촉매를 자체 기술로 개발 소재 국산화를 주도하고 있습니다.

 

또한. 반도체, Solar, LED, 디스플레이 소재 및 석유화학 촉매로 이어지는 안정적인 사업 포트폴리오를 갖추고 있으며, 독보적인 기술력을 바탕으로 설계, 합성, 정제 등 일괄 생산 공정을 구축하여 반도체, 촉매, LED, Solar시장의 빠른 변화에 효과적으로 개발 및 양산을 진행하여 초고순도 제품공급을 통해 Global 기업과 공동 개발 프로젝트를 수행할수 있는 공신력과 기술력을 보유하고 있습니다.



[ 주요 제품군에 대한 설명 ]

제품군 설명
반도체 소재 반도체 소재 중 고유전율 High-k 박막과 확산방지막 등에 사용되는 ALD/CVD 증착용 전구체입니다.
Solar 소재 Solar Panel의 변환 효율 하락을 방지하여 효율 증가시킬 수 있는 소재입니다.
LED 소재 LED 성능에 직접적으로 영향을 미치는 LED 조명의 빛이 생성되는 EPI 층 형성의 핵심 소재입니다.
메탈로센촉매 소재 석유화학제품을 만드는 데 사용되는 촉매입니다.

(1) 반도체소재 사업

반도체 소재 부분의 첫 시작은 당사의 TMA를 국내 반도체업체에 공급하면서 시작되었습니다. 당사의 핵심 인력 대부분이 반도체 소재 연구개발과 마케팅 경력을 보유하고 있어, 반도체 소재 사업에 대한 전망, 시장과 기술개발 현황 등을 명확히 인지하고 있었습니다. 2014년부터 반도체 소재 연구개발을 본격적으로 시작하였고 국내 주요 반도체 회사에 업체등록 이후 대만과 중국으로 사업영역을 확대하고 있습니다.


(2) 태양광소재 사업

마지막으로 사업화된 부분은 Solar용 소재이며, Solar 소재 분야의 진입은 고효율 쏠라셀을 제조하기 위하여 PERC 공정에서 Passivation Layer로 Al2O3 박막이 적용되면서 전구체로 TMA를 국내 태양광 업체 등에 공급하면서 시작하게 되었습니다.

(3)  LED소재 사업

당사는 2010년 LED TV가 출시되어 전세계적으로 LED 전구체가 부족하던 시점에 LED 전구체를 제조하기 위해 설립되었습니다. 사업 초기에는 기존 TMA 제조업체들이 당사의 LED 전구체 사업 진출을 막기 위해 TMA 판매를 거절하여 TMA를 수급할 수 없던 애로사항 때문에 당사는 전세계 3개 회사만이 생산하던 TMA 제조기술을 자체 개발하게 되었습니다. 어려운 과정을 거쳐 TMA양산에 성공하면서 TMA를 원료로 TMG를 안정적으로 생산하고 관련 전구체인 TEG, TMI, TMA, Cp2Mg 모두를 제품화함으로서 LED 산업에 성공적으로 진입하게 되었습니다.


(4) 촉매사업

LED 원료로 사용하고 남는 TMA의 수요처를 검토하면서 메탈로센 조촉매인 MAO 개발을 시작하였고 석유화학 업체의 어려운 평가 과정을 통과 후 MAO 양산에 성공하였습니다. 더불어 관련 아이템인 메탈로센 컴파운드와 담지촉매 개발까지 성공하여 촉매사업에도 안정적으로 진입하게 되었습니다.




2. 주요 제품 및 서비스



가. 주요 제품 현황


(단위 : 백만원, %)
제품 구분

2022년도

(제6기)

2023년도

(제7기)

2024년도

(제8기 1분기)

매출액

비율

매출액

비율

매출액

비율

반도체 소재

81,733 62.15% 64,737 54.96% 18,829 61.07%
Solar 소재

28,031 21.32% 36,569 31.05% 7,382 23.94%
LED 소재

13,850 10.53% 6,414 5.44% 1,712 5.55%
석유화학촉매

7,459 5.67% 9,392 7.97% 2,810 9.11%
소계

131,073 99.67% 117,111 99.42% 30,733 99.68%
기타

433 0.33% 679 0.58% 99 0.32%
매출총계

131,507 100.00% 117,790 100.00% 30,832 100.00%

나. 주요 제품 등의 가격변동 추이

당사 제품은 고객사의 주문에 따라 제품을 생산하는 사업으로 고객사의 주문시점 및 주문수량 등으로 가격의 등락이 존재하며, 각 거래처 및 제품별 상이한 가격에 따라 가격변동추이를 산출하는 것이 부적합하고 정확한 가격의 변동 추이를 파악하기 어려워 기재를 생략하였습니다.




3. 원재료 및 생산설비



가. 매입 현황


(단위 : 백만원)
품 목 2022연도 2023연도 2024연도
(제6기) (제7기) (제8기 1분기)
원재료 등 63,376 60,160 18,041

나. 원재료 가격변동추이
당사의 원재료 구입은 고객사 발주량에 따라 수량이 결정되고 있으며, 수급동향과 환율변동에 의해 가격이 결정되고 있습니다.


다. 생산능력 및 생산실적

(단위 :  kg)
제품 품목명 구분 2022연도 2023연도 2024연도
(제6기) (제7기) (제8기 1분기)
수량 수량 수량
반도체 소재 생산능력               937,130               997,304               284,047
생산실적               686,232               792,600               191,701
Solar 소재 생산능력               289,125               503,280               114,615
생산실적               219,556               327,687                49,670
LED 소재 생산능력                37,935                37,288                  8,408
생산실적                18,911                11,235                  1,084
석유화학촉매 생산능력               437,184               377,040                95,856
생산실적               111,529                93,930                19,853
주)생산능력 및 생산실적의 산출 근거는 1batch당 가능생산량 * 월 가능생산 batch * 생산월




라. 생산설비에 관한 사항


(1) 생산과 영업에 중요한 시설 및 설비 등 

사업장 소재지 주요 사업 비고
전의사업장 세종특별자치시 전의면 산단길 22-144 유기금속화합물제조 본사
천안사업장 충남 천안시 성남면 5산단4로 41 유기금속화합물제조 지점
세종미래사업장 세종특별자치시 전의면 양곡리 592 유기금속화합물제조 세종미래지점
세종벤처밸리사업장 세종특별자치시 전동면 심중리 유기금속화합물제조 세종벤처밸리지점
레이크테크놀로지 세종특별자치시 전의면 미래산단6로 21 유기금속화합물제조 자회사

(2) 생산설비의 현황


(단위 : 천원)
구분 기초
장부가액 당분기증감 당분기상각 대체 당분기
장부가액
증가 감소
토지 20,259,088 - - - - 20,259,088
건물 26,713,829 2,025,914 - (460,680) 3,177,230 31,456,292
구축물 9,556,930 176,073 - (175,110) 560,800 10,118,693
기계장치 4,974,999 156,638 - (266,344) - 4,865,293
공구와기구 2,117,174 154,650 - (166,287) 93,450 2,198,986
용기 12,587,991 293,604 (15,569) (609,124) 293,406 12,550,308
시설장치 55,716,238 3,619,360 - (828,418) 191,000 58,698,181
비품 1,065,483 4,199 - (79,680) - 990,002
차량운반구 126,020 - - (10,883) - 115,137
사용권자산 1,061,309 49,237 (9,733) (120,749) - 980,064
건설중인자산 37,572,366 9,792,380 - - (7,680,403) 39,684,343
합계 171,751,427 16,272,054 (25,302) (2,717,275) (3,364,518) 181,916,386

(3) 시설투자현황


(단위 : 천원)
구분 투자기간 대상자산 투자금액 비고
시설투자 '23.02~'24.03 건물, 시설장치 등 14,000,000  - 반도체소재(High-K 전구체) 설비 증설 완료
'23.04~'24.12 토지(주1) 19,479,300  - 신규 부지 매입
'23.11~'24.09 건물, 시설장치 등 31.570.000  - 신규 공장 Capa(TMA) 증설 및 인프라 구축
(주1) 공단 조성공사 지연으로 소유권 이전 시기 연기로 투자 종료일 변경 정정공시 공사기간을 2024년4월30일에서 2024년12월31일로 변경



4. 매출 및 수주상황



가. 매출실적


(단위 : 백만원)
매출

유형

품 목

2022연도

(제6기)

2023연도

(제7기)

2024연도

(제8기 1분기)

금액

금액

금액

제품

반도체 소재

수출

25,988 38,596 12,541
내수

55,745 26,141 6,289
Solar 소재

수출

27,347 35,733 7,151
내수

684 836 230
LED 소재

수출

12,832 4,366 1,119
내수

1,018 2,048 593
석유화학촉매

수출

592 787 55
내수

6,867 8,605 2,755
제품 소계

수출

66,759 79,481 20,866
내수

64,314 37,629 9,867
합계

131,073 117,111 30,733
기타

수출

145 449 53
내수

289 230 46
합 계

수출

66,904 79,930 20,919
내수

64,603 37,860 9,913
합계

131,507 117,790 30,832



나. 판매 조직

이미지: 판매조직
판매조직



다. 판매전략

판매전략

내        용

특화 기술 기업

순수 국내 제조 기반의 몇 안되는 유기금속 화합물 합성제조 전문 기술 기업

 -  국내 유일의 TMA 제조 기업

 -  초고순도, 고반응성 화합물 취급 경험 및 전용설비 구축

 -  유기금속 화합물 기반의 반도체용 전구체 생산 업체

 -  전문화된 다양한 분석 설비를 자체 보유, 운영

제조 설비 기반의 포트폴리오

제품별 전용의 설비를 구축 운영하는 것에 강점

지속적이고, 안정적인 생산, 공급 체계 어필

전문적인 합성 및 정제 설비 및 공정 운영을 통하여, 다양한 해외 고객사의 NEEDS를 맞추어 고객맞춤형의 우수한 제품을 생산, 납품하는 우수한 기술력

강력한 품질 체계

반도체급의 초고순도 제품 제조에서 확보된 품질 수준을 다양한 제품군의 확대 적용으로 시장내 제품과 차별화 추구

 - 석유화학제품 및 OEM/ODM 제품에도 확대 적용으로 고객 만족도, 신뢰도 확보

체계적이고 최적화된 용기 관리

초고순도 제품이 취급되는 만큼, 체계적인 용기 관리 체계가 필수. 자체 관리 시스템을 구축하고 40여종 이상
10,000여개 이상의 전용 용기를 관리, 운영 중

 - 초고순도 용기 세정, 건조, 분석 공정 운영

 - 고객사 특화 용기 운영

 - 환경 안전을 고려한 인증 용기 운영

가격 경쟁력 확보

1. 전용 설비 구축으로 경쟁사 대비 가격 경쟁력 확보

2. 제품 공급 수직화(원재료 수급 ~ 제품 납품)를 통한 가격 경쟁력 확보

3. 자가 분석 및 운송 체계 보유

4. GLOBAL SOURCING을 통한 안정적인 원재료의 확보와 우수한 원재료의 발굴 능력으로 경쟁력을 확보하기위한 SYSTEM을 운영 구축

5. 지속적인 공정 개선 및 설비 개선을 통한 생산성의 개선과 제조원가의 관리를 통하여 우수한 가격경쟁력을 확보함 

기술 영업을 통한 고객 만족

1. 영업 인원의 전문성 교육 강화로 기술 영업 대응을 통한 고객만족 실현

2. 긴밀한 협업 체계를 통한 빠른 대응

3. 중국, 대만 지역등의 매출액이 높은 지역에 해외 현지 법인 및 지사를 운영하고, 우수한 개발영업의 현지인력을 충원하여 적극적인 C/S 및 영업확대 활동을 진행

기술 역량 강화

1. OEM으로 축적된 경험을 바탕으로 연구 역량 강화하여 ODM 제품 개발

2. 다양한 해외 시장에서의 경쟁사 정보를 발빠르게 취합하고 시장 동향을 읽어내서, 국내 및 해외 시장에서의 점유율을 유지


라. 수주상황
해당사항이 없습니다.



5. 위험관리 및 파생거래



가. 위험관리

가.1 금융위험관리요소

연결회사는 경영활동과 관련하여 신용위험, 유동성위험 및 시장위험 등 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결회사는 금융위험이 경영에 미칠 수 있는 불리한 효과를 최소화하기 위해  노력하고 있습니다.

위험관리는 이사회에서 승인한 정책에 따라 재무부서의 주관으로 이루어지고 있습니다. 이사회는 전반적인 위험관리에 대한 원칙과 외환위험, 이자율 위험, 신용 위험, 파생금융상품과 비파생금융상품의 이용 및 유동성을 초과하는 투자와 같은 특정 분야에 관한 문서화된 정책을 검토하고 승인합니다.

가.1.1 시장위험

(1) 외환위험


당분기말과 전기말 현재 외환 위험에 노출되어 있는 연결회사의 금융자산ㆍ부채의 내역의 원화환산 기준액은 다음과 같습니다.

(단위: 천원, 천USD, 천TWD, 천CNY, 천JPY, 천EUR)
구분 통화 당분기말 전기말
외화 원화 외화 원화
현금및현금성자산 USD 9,040 12,170,415 12,493 16,106,838
TWD 23,435 987,296 21,241 891,693
JPY 6,825 60,706 6,825 62,288
CNY 496 92,213 648 117,217
매출채권 USD 6,773 9,121,865 7,165 9,238,223
TWD 9,495 400,009 11,622 487,890
미수금 TWD - - 1,024 42,977
매입채무 USD 2,724 3,668,661 1,168 1,506,317
TWD 8 336 3,159 132,618
EUR - - 583 831,488
미지급금 USD 180 242,424 - -
TWD 231 9,726 122 5,115
순 채권(채무) KRW  - 18,911,357 - 24,471,588


당분기말과 전기말 현재 외화에 대한 원화 환율 10% 변동 시 환율변동이 당분기 및 전기 손익에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)
구  분 세후 이익에 대한 영향 자본에 대한 영향
당분기 전기 당분기 전기
USD 상승시 1,355,733 1,859,422 1,355,733 1,859,422
하락시 (1,355,733) (1,859,422) (1,355,733) (1,859,422)
TWD 상승시 107,425 100,216 107,425 100,216
하락시 (107,425) (100,216) (107,425) (100,216)
CNY 상승시 7,193 9,143 7,193 9,143
하락시 (7,193) (9,143) (7,193) (9,143)
EUR 상승시 - (64,856) - (64,856)
하락시 - 64,856 - 64,856
JPY 상승시 4,735 4,858 4,735 4,858
하락시 (4,735) (4,858) (4,735) (4,858)
합계(상승시) 1,475,086 1,908,783 1,475,086 1,908,783
합계(하락시) (1,475,086) (1,908,783) (1,475,086) (1,908,783)


(2) 이자율 위험

연결회사의 이자율 위험은 미래의 시장 이자율 변동에 따라 예금 또는 차입금 등에서발생하는 이자수익 및 이자비용이 변동될 위험을 뜻하며, 이는 주로 변동금리부 조건의 예금과 변동금리부 차입금에서 발생하고 있습니다. 연결회사의 이자율 위험관리의 목표는 이자율변동으로 인한 불확실성과 순이자비용의 최소화를 추구함으로써 기업의 가치를 극대화하는데 있습니다.

당분기말과 전기말 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율의 10bp 변동시 연결회사의세후이익 및 자본에 미치는 영향은 아래 표와 같습니다.

(단위: 천원)
지수 세후 이익에 대한 영향 자본에 대한 영향
당분기 전기 당분기 전기
상승시  (94,361) (79,444) (94,361) (79,444)
하락시  94,361 79,444 94,361 79,444

가.1.2 신용 위험

신용위험은 기업 및 개인 고객에 대한 신용거래 및 채권 뿐 아니라 현금성자산, 채무상품의 계약 현금흐름 및 예치금 등에서도 발생합니다.

 

(1) 위험관리


연결회사는 신용위험을 연결회사 관점에서 관리합니다. 은행 및 금융기관의 경우 A 신용등급 이상과만 거래합니다. 

 

기업 고객의 경우 외부 신용등급을 확인할 수 있는 경우 동 정보를 사용하고 그 외의 경우에는 내부적으로 고객의 재무상태와 과거 경험 등을 근거로 신용등급을 평가합니다. 연결회사의 신용위험은 개별 고객, 산업, 지역 등에 대한 유의적인 집중은 없습니다. 


(2) 금융자산의 손상


연결회사는 기대신용손실 모형이 적용되는 다음의 금융자산을 보유하고 있습니다. 

ㆍ재화 및 용역의 제공에 따른 매출채권

ㆍ상각후원가로 측정하는 기타금융자산

 

현금성자산도 손상 규정의 적용대상에 포함되나 식별된 기대신용손실은 유의적이지 않습니다.

1) 매출채권과 계약자산 

 

연결회사는 매출채권에 대해 전체 기간 기대신용손실을 손실충당금으로 인식하는 간편법을 적용합니다. 기대신용손실을 측정하기 위해 매출채권은 신용위험 특성과 발생일을 기준으로 구분하였습니다.

 

기대신용손실율은 보고기간말 기준으로부터 각 36개월 동안의 매출과 관련된 지불 정보와 관련 확인된 신용손실 정보를 근거로 산출하였습니다.


당분기말과 전기말 현재 매출채권에 대한 손실충당금은 다음과 같습니다. 

(단위: 천원) 
구분 당분기말 전기말
채권금액 손실충당금 채권금액 손실충당금
0~3개월 17,895,031 9,372 16,122,377 560
3~6개월 - - - -
6개월~1년 - - - -
합계 17,895,031 9,372 16,122,377 560

당분기와 전기 중 매출채권의 손실충당금 변동내역은 다음과 같습니다.

(단위: 천원) 
구분
매출채권

당분기

전기

기초 

560 20,254
손실충당금 증가액

21,490 -
손실충당금 환입액

(12,678) (19,694)
기말 

9,372 560

매출채권은 회수를 더 이상 합리적으로 예상할 수 없는 경우 제각됩니다. 매출채권에대한 손상은 연결손익계산서 상 대손상각비로 순액으로 표시되고 있습니다. 제각된 금액의 후속적인 회수는 동일한 계정과목에 대한 차감으로 인식하고 있습니다.

2) 상각후원가측정기타금융자산

 

상각후원가로 측정하는 기타금융자산에는 미수금, 보증금, 대여금 등이 포함됩니다.

 

상각후원가로 측정하는 기타금융자산은 모두 신용위험이 낮은 것으로 판단되며, 따라서 손실충당금은 12개월 기대신용손실로 인식하였습니다. 상각후원가로 측정하는기타금융자산은 채무불이행 위험이 낮고 단기간 내에 계약상 현금흐름을 지급할 수 있는 발행자의 충분한 능력이 있는 경우 신용위험이 낮은 것으로 간주합니다.


(3) 대손상각비


당분기와 전기 중 손익으로 인식된 금융자산의 손상 관련 대손상각비는 다음과 같습니다.

(단위: 천원) 
구분
당분기

전기

매출채권 대손상각비환입액

8,812 (19,694)


(4) 당기손익공정가치측정금융자산

 

연결회사는 당기손익공정가치측정금융자산에 대한 신용위험에도 노출되어 있습니다. 당분기 현재 연결회사의 관련 최대노출금액은 해당 장부금액인 17,271,036천원(전기: 7,247,926천원) 입니다.


가.1.3 유동성 위험

연결회사는 미사용 차입금 한도를 적정 수준으로 유지하고, 영업 자금 수요를 충족시키기 위해 차입금 한도나 약정을 위반하는 일이 없도록 유동성에 대한 예측을 항시 모니터링하고 있습니다. 보고기간말 현재 연결회사는 유동성위험을 관리하기 위해 사용가능한 추가 차입한도는 현재 실행액을 제외한 25,740,000천원 입니다(주석 30 참조).

경영진은 예상현금흐름에 기초하여 추정되는 현금및현금성자산과 차입금 한도 약정을 모니터링하고 있습니다. 이러한 추정은 연결회사가 설정한 관행과 한도에 따라각 영업회사의 지역별로 관리됩니다. 이러한 한도는 각 연결회사가 속한 지역 시장의유동성 상황을 고려하여 달리 책정됩니다. 또한 연결회사의 유동성 위험 관련 정책은 주요 통화별 필요 현금흐름을 추정하여 이를 충족하기 위한 유동성 자산의 현황을 고려하고, 유동성 비율을 내부 및 외부 감독 기관 등의 요구사항을 충족하고 자금조달계획을 실행하기 위해 관리합니다.


당분기말 및 전기말 현재 연결회사의 유동성 위험 분석내역은 다음과 같습니다.


-당분기말

(단위: 천원) 
구분 장부금액 합 계 1년이하 1년초과~
3년이하 3년초과
매입채무및기타금융부채 15,776,134 15,776,134 15,703,483 72,651 -
차입금 180,560,968 204,076,467 99,984,187 31,539,721 72,552,559
리스부채 1,004,910 1,065,757 447,294 497,696 120,767
합계 197,342,012 220,918,359 116,134,964 32,110,069 72,673,327

-전기말

(단위: 천원) 
구분 장부금액 합계 1년이하 1년초과~
3년이하 3년초과
매입채무및기타금융부채 9,538,116 9,538,116 9,467,933 70,183 -
차입금 171,616,442 194,215,114 96,397,918 30,764,072 67,053,124
리스부채 1,084,259 1,233,530 454,045 573,700 205,785
합계 182,238,817 204,986,760 106,319,896 31,407,955 67,258,909



가.2 자본 위험 관리

연결회사의 자본 관리 목적은 계속기업으로서 주주 및 이해당사자들에게 이익을 지속적으로 제공할 수 있는 능력을 보호하고 자본 비용을 절감하기 위해 최적의 자본구조를 유지하는 것입니다.

연결회사는 산업내 다른 기업과 일관되게 자본조달비율에 기초하여 자본을 관리하고있습니다. 자본조달비율은 순부채를 총자본으로 나누어 산출하고 있습니다. 순부채는 총차입금(연결재무상태표의 장단기차입금, 유동성장기차입금, 리스부채 포함)에서 현금및현금성자산을 차감한 금액이며 총자본은 연결재무상태표의 "자본"에 순부채를 가산한 금액입니다.



당분기말과 전기말의 자본조달비율은 다음과 같습니다.

(단위: 천원) 
구분 당분기말 전기말
총차입금 181,565,878 172,700,701
차감:현금및현금성자산 26,179,191 35,806,593
순부채 155,386,687 136,894,108
자본총계 114,938,967 110,734,984
총자본 270,325,653 247,629,092
자본조달비율 57.48% 55.28%



나. 금융상품 공정가치

나.1 금융상품 종류별 공정가치

당분기말과 전기말 현재 금융상품의 종류별 장부금액 및 공정가치는 다음과 같습니다.

(단위: 천원) 
구분 당분기말 전기말
장부금액 공정가치 장부금액 공정가치
금융자산
 현금및현금성자산 26,179,191 26,179,191 35,806,593 35,806,593
 단기금융상품 312,299 312,299 1,000,000 1,000,000
 장기금융상품 66,000 66,000 48,000 48,000
 당기손익공정가치측정금융자산 17,271,036 17,271,036 7,247,926 7,247,926
 매출채권 17,885,659 17,885,659 16,121,817 16,121,817
 기타금융자산 246,898 246,898 341,697 341,697
 기타비유동금융자산 812,435 812,435 873,025 873,025
합계 62,773,517 62,773,517 61,439,058 61,439,058
금융부채
 매입채무 5,995,928 5,995,928 3,865,951 3,865,951
 기타금융부채(*) 9,780,207 9,780,207 5,672,164 5,672,164
 단기차입금 82,272,000 82,272,000 79,452,000 79,452,000
 유동성장기부채 11,701,931 11,701,931 11,006,771 11,006,771
 장기차입금 86,587,037 86,587,037 81,157,671 81,157,671
 리스부채(*) 1,004,910 1,004,910 1,084,259 1,084,259
합계 197,342,012 197,342,012 182,238,816 182,238,816
(*) 유동성 항목이 포함되어 있습니다.



나.2 공정가치 서열체계

공정가치로 측정되는 금융상품은 공정가치 서열체계에 따라 구분되며 정의된 수준들
은 다음과 같습니다.

- 측정일에 동일한 자산이나 부채에 대해 접근할 수 있는 활성시장의(조정하지 않은) 공시가격(수준 1) 

- 수준 1의 공시가격 외에 자산이나 부채에 대해 직접적으로나 간접적으로 관측할 수 있는 투입변수 (수준 2)

- 자산이나 부채에 대한 관측할 수 없는 투입변수 (수준 3) 


당분기말과 전기말 현재 공정가치로 측정되는 금융상품의 공정가치 서열체계 구분은 다음과 같습니다.


- 당분기말

(단위: 천원) 
구분 수준1 수준2 수준3 합계
당기손익공정가치측정금융자산
 저축성보험 - 370,624  - 370,624
 수익증권 -  - 950,000 950,000
 채무증권 - 14,950,419  - 14,950,419
 지분상품 -  - 999,992 999,992
합계 - 15,321,044 1,949,992 17,271,036

- 전기말

(단위: 천원) 
구분 수준1 수준2 수준3 합계
당기손익공정가치측정금융자산
 저축성보험 - 333,743 - 333,743
 수익증권 - - 900,000 900,000
 채무증권 - 5,014,192 - 5,014,192
 지분상품 - - 999,992 999,992
합계 - 5,347,935 1,899,992 7,247,927



나.3 반복적인 공정가치 측정치의 서열체계 수준 간 이동

연결회사는 금융상품의 공정가치 서열체계의 수준 간 이동을 발생시킨 사건이나 상황의 변동이 일어난 날짜에 수준 간의 이동을 인식하고 있습니다.

나.4 가치평가기법 및 투입변수

연결회사는 공정가치 서열체계에서 수준 3으로 분류되는 반복적인 공정가치측정치, 비반복적인 공정가치측정치에 대해 다음의 가치평가기법과 투입변수를 사용하고 있습니다.

(단위: 천원) 
구분 당분기말 전기말 수준 가치평가기법 투입변수
당기손익공정가치측정금융자산
  수익증권 950,000 900,000 3 취득원가 취득원가
  지분상품 999,992 999,992 3 취득원가 취득원가



6. 주요계약 및 연구개발활동



가. 주요계약
경상적인 영업활동 외 중요한 매출, 생산시설 임대차계약, 기술도입계약, 경영관리계약, 라이센싱 등  회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요 계약은 없습니다.

나. 지적재산권 등
번호

구분

내용

권리자

등록일

출원국

1

특허권

충전 플레이트를 구비하는 유기금속 화합물 공급장치

㈜레이크머티리얼즈

2014.10.16

한국

2
특허권

유기금속 화합물 공급 장치 ㈜레이크머티리얼즈 2014.12.08
한국

3 특허권 기화기용 소스물질 공급장치 ㈜레이크머티리얼즈 2015.10.01 한국
4
특허권

전구체 기화기

㈜레이크머티리얼즈

2016.01.28

한국

5
특허권

유기금속 화합물 공급장치

㈜레이크머티리얼즈

2017.01.05

한국

6
특허권

반도체 제조공정용 소스물질의 계량 공급장치

㈜레이크머티리얼즈

2017.01.05

한국

7
특허권

방향족 전구체를 이용한 탄소박막 및 이의 제조 방법

㈜레이크머티리얼즈

2017.01.12

한국

8 특허권 유기발광소자 제보방법 ㈜레이크머티리얼즈 2017.04.13 한국
9
특허권

브러쉬 구조를 가지는 고분자 화합물의 제조방법

롯데케미칼 주식회사

㈜레이크머티리얼즈

2017.12.14

한국

10
특허권

브러쉬 구조를 가지는 고분자 화합물의 제조방법

롯데케미칼 주식회사

㈜레이크머티리얼즈

2018.01.10

한국

11 특허권 유기금속 화합물 공급 장치 ㈜레이크머티리얼즈 2019.09.25 한국
12 특허권 유기금속아민 화합물의 제조방법 ㈜레이크머티리얼즈 2019.11.05 한국
13 특허권 유기금속화합물 공급장치 ㈜레이크머티리얼즈 2021.01.21 한국
14 특허권 고순도 반도체용 승화장치 ㈜레이크머티리얼즈 2021.05.10 한국
15 특허권 유기금속 박막 전구체 및 이의 제조방법 ㈜레이크머티리얼즈 2021.05.31 한국
16 특허권 유기금속 박막 전구체를 이용한 박막형성방법 ㈜레이크머티리얼즈 2021.05.31 한국
17 특허권 이중 구조의 유기금속 화합물 공급 장치 ㈜레이크머티리얼즈 2021.07.30 한국
18 특허권 반도체 박막 증착용 화합물 ㈜레이크머티리얼즈 2021.12.10 한국
19 특허권 저 불소 함량을 갖는 텅스텐 박막의 제조 방법 ㈜레이크머티리얼즈 2022.02.22 한국
20 특허권 트리할로 주석 화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 트리아미드 주석 화합물의 제조방법 ㈜레이크머티리얼즈 2022.03.31 한국
21 특허권 유기금속 화합물 공급 장치 ㈜레이크머티리얼즈 2022.06.07 한국
22 특허권 화학물질 저장장치용 지지브라켓 ㈜레이크머티리얼즈 2023.01.17 한국
23 특허권 유기금속화합물 공급장치 및 공급방법 ㈜레이크머티리얼즈 2023.04.21 한국
24 특허권 올레핀 중합용 담지촉매의 제조방법 ㈜레이크머티리얼즈 2023.08.17 한국
25 특허권 황화수소 반응기 및 황화수소 제조방법 ㈜레이크테크놀로지 2024.01.08 한국



다. 연구개발활동

(1) 연구개발 담당조직
이미지: 연구소 조직도
연구소 조직도


(2) 연구개발비용
(단위: 천원)
구 분

2022년도

(제6기)

2023년도

(제7기)

2024년도

(제8기 1분기)

연구개발비용계 2,395,796 3,701,934 1,024,199
연구개발비용계/매출액 비율 1.82% 3.14% 3.32%


(3) 연구개발 실적

1) 비정질 산화물 반도체 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide) 박막 제조용 액체 인듐(In) 전구체 개발

연구과제명

비정질 산화물 반도체 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)박막 제조용 액체 인듐(In) 전구체

연구기관/개발기간

㈜ 레이크머티리얼즈 / 2018.07 ~ 2021.04

관련제품

디스플레이 전자재료분야 IGZO 박막 증착용 액체 인듐(In) 전구체

연구결과/기대효과
연구결과 : 상온에서 액체이며, 수분이나 공기중에서 자연발화성이 억제되는 높은 증기압을 가지는 인듐(In) 박막 전구체(L2i-8) 개발
기대효과 : 고체전구체를 사용하여 대량생산시 발생되는 용기를 교체하는 PM 과정을 하지않는 상온에서  액체이면서 높은 증기압을 가지는 인듐(In) 박막 전구체 개발로 대량 생산공정에 적용이 가능  할 것으로 판단되어 기업 이윤 창출에 큰 효과를 거둘 것으로 예상



2) 휘발성 및 안정성이 우수한 알루미늄 산화물 전구체

연구과제명

휘발성 및 안정성이 우수한 알루미늄 산화물용 전구체 개발

연구기관

㈜레이크머티리얼즈 / 2018.01~2020.01

관련제품

디스플레이, 반도체 전자재료 및 3-5족 화합물 반도체용 저온공정이 가능한 알루미늄(Al2O3)용 Al 전구체

연구결과/기대효과
연구결과 : 높은 증기압과 높은 열적안정성을 가지는 알루미늄 산화물 전구체 개발
기대효과 : 알킬알루미늄 산화물용 전구체로서 신규 구조와 높은 증기압(T1/2= 170℃), 점도가 낮은 특성을 가지고 있어 low-temp (250~300℃)에서 저 탄소 불순물 갖는 박막증착이 가능할 것으로기대


3) 시스템(반도체용 생산시설 기반)  

연구과제명

TEOS 200L 자동화 세정 건조 설비 개발

연구기관

㈜레이크머티리얼즈 / 2018.04~2018.10

관련제품 반도체소재 TEOS
연구결과/기대효과
연구결과 : 자동화시설에 따른 효율적인TEOS 운영체계 확립
기대효과 : TEOS용기 세정/건조 자동화설비를 구축하여 병목구간 해소 효과를 확인

연구과제명

TiCl4 충진, 회수 자동화 설비 개발
연구기관

㈜레이크머티리얼즈 / 2018.09~2021.12

관련제품 반도체소재 TiCl4
연구결과/기대효과
연구결과 : 자동화시설에 따른 효율적인TiCl4 운영체계 확립
기대효과 : TiCl4 충진, 회수 자동화설비를 품질 안정성 확보 및 생산성 향상 확인



4) 반도체 박막용 전이금속 염화물 기반 고체 전구체 상용화 기술 개발

연구과제명

반도체 박막용 전이금속 염화물 고체 전구체 상용화 기술 개발

연구기관개발기간

㈜레이크머티리얼즈(주관), 한국화학연구원(참여), 영남대학교(참여)

2017.4~2018.12 (1단계, 2년), 2019.1~2021.12(2단계, 3년)

관련제품

반도체 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 트랜지스터에서 절연막(HfO2), 확산방지막(TaC), 게이트(W)박막 제조공정으로 적용 가능한 전이금속 염화물 (HfCl4, TaCl5, WCl6) 기반 고체전구체 3종과 고체전구체 맞춤형 이송장치(캐니스터)

연구결과/기대효과
연구결과 : 신규 텅스텐(W), 탄탈럼(Ta), 하프늄(Hf) 고체 전구체 4종개발 완료 및 고체 전구체 맞춤형 이송장치(캐니스터) 개발 

기대효과 : 전량 수입에 의존하는 반도체용 고체 전구체의 국산화를 통해 국내 칩 메이커의 가격 경쟁력 확보 및 국내 반도체 산업 발전에 기여 할 것으로 예상


5) 3D NAND word line용 Free or low fluorine W 박막 증착을 위한 전구체 소재 개발

연구과제명

3D NAND word line용 Free or low fluorine W 박막 증착을 위한 전구체 소재 개발

연구기관개발기간

㈜레이크머티리얼즈

2017.6 ~2019.06 (2년)

관련제품

텅스텐 금속박막 전구체 WF6 을 대체할 수 있는 F-free 화합물 W-072 & W-073 전구체

연구결과/기대효과
연구결과 : 신규 Free or low fluorine 텅스텐 전구체 개발
기대효과 : 칩 메이커 및 장비업체에서 요구되는 물성의 텅스텐 전구체 개발, Fluorine이 없는Ligand 도입에 따른 안정한 텅스텐 전구체 및 그에 따른Fluorine 오염이 없는 신규 텅스텐 전구체 개발후보군을 발굴함으로써 증착공정 개발 후 매출 발생을 기대


6) 차세대 디바이스용 다성분계 물질 증착을 위한 고생산성 Batch Type ALD 장비 개발

연구과제명

차세대 디바이스용 다성분계 물질 증착을 위한 고생산성 Batch Type ALD 장비 개발

연구기관개발기간

㈜예스티(주관), ㈜레이크머티리얼즈(참여), The University of Texas at Dallas(참여)
2020.04 ~2023.12 (45개월)
관련제품

다성분계 고유전율(High-k) 공정용 전구체(TDMAH, TDMAZ, CpHf, ZAC 등) 및 신규 개발 전구체
연구결과/기대효과 연구결과 : ZrO2, HfO2 증착 평가를 위한 상용화 전구체 공급 및 복합막 증착용 신규 전구체 개발
기대효과 : 차세대 메모리 소자 제조시 반도체 메모리 칩 메이커 및 장비업체에서 요구되는 캐패시터의 정전 용량을 확보하고  복합막 증착이 가능한 Zr, Hf, Ti, Al 등의 금속을 기반으로 한  신규 전구체 개발을 통해 관련 제품의 매출 발생 기대


7) 8세대급 초박막 OLED 봉지장비 기술개발(마이크로 결함이 없는 고치밀성을 갖는 무기 박막 증착장비 개발)

연구과제명

8세대급 초박막 OLED 봉지장비 기술개발(마이크로 결함이 없는 고치밀성을 갖는 무기 박막 증착장비 개발)
연구기관개발기간

 ㈜레이크머티리얼즈(참여기관 외 6개사), LG디스플레이(수요기관), 주성엔지니어링㈜(주관기관)
2021.04 ~2024.12 (45개월)
관련제품

OLED봉지장비 기술 개발을 위한 유/무기 박막용  Si, Ta 전구체 및 신규 개발 전구체
연구결과/기대효과 연구결과 : OLED디스플레이 박막용 전이금속(Ta, Si) 기반 고 휘발성 전구체 기술 개발
기대효과 : 차세대 대면적 OLED 디스플레이 TFT 제조시 장비업체에서 요구되는 낮은 수소 함유량을 갖는 봉지막 개발에 증착이 가능한 고 휘발성 Si, Ta 금속 기반의 신규 전구체 개발을 통해 관련 제품의 신규 매출 발생을 기대


8) 세라믹 이온전도체 기반 멀티 코어쉘 구조 650 Wh/kg급 양극활물질-이온전도체  복합분말 제조 기술 개발

연구과제명

세라믹 이온전도체 기반 멀티 코어쉘 구조 650 Wh/kg급 양극활물질-이온전도체 복합분말 제조 기술 개발

연구기관개발기간

 ㈜레이크테크놀로지(공동연구개발기관 외 4개사), 동화일렉트로라이트(주)(주관기관)
2020.04 ~2024.12
관련제품

650 Wh/kg급의 높은 비에너지 달성이 가능한 리튬 전고체전지향(向) 멀티 코어쉘(core-shell) 양극 복합분말
연구결과/기대효과 연구결과 : kg/batch의 스케일 업 합성 시스템에서 목표하는 5 mS/cm급을 초과한 이온전도성 구현
기대효과 : 기존 리튬이차전지용 고용량, 고안정성, 저단가 전극 소재부터, 모바일 IT 용 소형 전지, 전기차 및 전동용 철도 차량, 산업용 기계, 건설용 기계, 나아가 일반 가정 및 산업단지에서 사용될 전력 저장용 중·대형 전지 등 유관 산업에 광범위하게 활용 가능



9) 반도체용 웨이퍼 초미세 노광공정(photolithography)의 EUV(Extreme Ultraviolet Lithography) 제조 생산효율을 높이기 위한 고순도 건식무기PR 신소재 개발기술 개발

연구과제명

반도체용 웨이퍼 초미세 노광공정(photolithography)의 EUV(Extreme Ultraviolet Lithography) 제조 생산효율을 높이기 위한 고순도 건식무기PR 신소재 개발기술 개발
연구기관개발기간

 ㈜레이크머티리얼즈(주관기관), (주)하바랩(공동연구개발기관), 광주과학기술원(위탁연구개발기관)
2023.07 ~2027.07(48개월)
관련제품

DRY PR 공정용의 무기 전구체
연구결과/기대효과 연구결과 : 국내 반도체 제조사의 EUV 도입에 따른 소재 수요에 대응하고, 특히 차세대 2nm급 이하 노광 공정에 사용될 수 있는 무기PR 신소재를 개발 상용화
기대효과 : 첨단 초미세 반도체 집적화 대응을 위한 신소재 개발기술 선점으로 국내 반도체 기반 경제체계의 안정화에 기여, EUV PR소재의 높은 수입의존도에서 벗어나, 국산화를 실현함으로써 국내 반도체 제조사의 안정적 소재수급 및 가격경쟁력 확보에 기여


(4) 정부과제 수행실적
연구과제명

주관부서

연구기간

정부출연금

관련제품

비고

축차중합법에 의한 Flexible Pseudo-blocky Brush Polyolefin   Copolymer 개발

한국산업기술평가관리원

'14.10 ∼

'18.09

1,934,639,991

태양광 패널 소재/자동차용 소재/의료용 소재

과제완료

반도체 박막용 전이금속 염화물 고체 전구체 상용화 기술 개발

한국산업기술평가관리원

'17.04∼

'18.12

900,000,000

-

과제완료
3D NAND word line용 Free or low fluorine W 박막 증착을 위한 전구체 소재 개발

중소기업청

’17.06~

’19.06

500,000,000

-

과제완료
면상발열체 활용을 통한 고온 고체 소스용 캐니스터 기술개발 한국산업기술평가관리원
'19.07∼

'21.12

1,700,000,000
-

중단
(주관기관폐업)
반도체 박막용 전이금속 염화물 고체 전구체 상용화 기술 개발

한국산업기술평가관리원

'19.01∼

'21.12

1,470,000,000

-

과제완료
차세대 디바이스용 다성분계 물질 증착을위한 고생산성 Batch Type ALD 장비 개발 한국산업기술평가관리원 '20.04~
'23.12 450,000,000 - 과제완료
8세대급 초박막 OLED 봉지장비 기술개발(마이크로 결함이 없는 고치밀성을 갖는 무기 박막 증착장비 개발) 한국산업기술평가관리원 '21.04~
'24.12 783,350,000 - 진행중
세라믹 이온전도체 기반 멀티 코어쉘 구조 650 Wh/kg급 양극활물질-이온전도체 복합분말 제조 기술 개발 한국산업기술평가관리원
'20.04~
'24.12
4,995,000,000 - 진행중
(23년 참여)
반도체용 웨이퍼 초미세 노광공정(photolithography)의 EUV(Extreme Ultraviolet Lithography) 제조 생산효율을 높이기 위한 고순도 건식무기PR 신소재 개발기술 개발 중소기업기술정보진흥원 '23.07~
'27.07 1,800,000,000 - 중단



7. 기타 참고사항



[주요 용어 설명]

용어

내용

유기금속 화합물

유기물 분자와 금속원자가 결합하여 만들어진 화합물(케미칼)이며 산업적 응용성을 강조하여 유기금속 소재라고 한다. 유기금속화합물의 물리적 성질과 화학적 반응성을 잘 이용하면 특정 금속막 제조를 위한 원료로도 사용이 가능하여 금속 또는 금속화합물의 전달물질로서 기능을 갖게 할 수 있는 특징이 있다.

리간드(Ligand)

착물(錯物) 속에서 중심원자에 결합되어 있는 이온 또는 분자의 총칭이다.

배위자(配位子)라고도 한다. 예를 들면, [Co(NH3)6]Cl3, K3[FeCl6], [Cu(NH2CH2COO)2] 등에 있어서 암모니아(NH3), 염화이온(Cl-), NH2CH2COO- 등은 각각 중심원자인 Co3+, Fe3+, Cu2+ 등과 결합된 이온 또는 분자로서 리간드가 되고 있다.

전구체(前驅體, Precursor)

어떤 물질에 선행되는 물질을 의미하며 화학이나 생명과학, 전자소재 등 다양한 분야에서 사용되는 용어이다. 전구체는 박막을 증착하기 위한 화학증착 공정용 원료로 증착을 원하는 주요 원자를 중심으로 기화특성을 향상시키기 위한 리간드(Ligand)로 결합되어 있는 구조를 가지고 있다. 특히 전자소재 분야에서 반도체나 LED 분야에 많이 사용되고 있으며 CVD전구체, ALD전구체, MO전구체, Cu전구체, Al전구체 등 다양하게 사용된다.

메탈로센 컴파운드

시클로펜타디엔(C5H5) 고리 2개와 각종 전이 금속으로 구성되어 있는 비스시클로-펜타디엔일 착염 (C5H5)2M의 총칭이다. 대표적인 화합물은 페로센 (C5H5)2Fe인데, 그 외에 M=Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Mo, Ru, Rh, Lu, Ta, W, Os, Ir 등의 메탈로센이 

알려져 있다. 올레핀 폴리머 중합 촉매로 주로 사용되는 Ti, Zr, Hf의 메탈로센 화합물을 의미한다.

촉매(Catalyst)

화학반응에서 반응속도를 조절해 주는 물질로 반응속도를 빠르게 해 주는 촉매를 정촉매라 하며, 반응속도를 느리게 해 주는 촉매를 부촉매 또는 억제제라고 한다. 그러나 일반적으로 촉매라고 하는 것은 정촉매를 의미하는 경우가 많다.

조촉매

촉매의 활성을 높이거나 촉매에 의해 일어나는 반응을 규제 또는 변화시키기 위해 첨가하는 물질로 공촉매라고도 한다. 일반적으로 메탈로센 컴파운드로는 중합 촉매로서 활성이 없기 때문에, 메틸알루미녹산(MAO)과 같은 조촉매의 작용에 의하여 각종 올레핀(olefin) 중합에 활성을 갖는 촉매계를 형성한다.

MAO

메틸알루미녹산, Methylaluminoxane의 약자이며 Al과 O이 주쇄를 이루는 일종의 알루미늄 무기 고분자 (-Al(CH3)-O-)n로 메탈로센 조촉매로 사용된다.

Polymer(중합체, 폴리머)

분자가 중합하여 생기는 화합물로 중합체라고 하며, 단위체(單位體: monomer)에 대응하는 말이다. 중합체 구조에는 사슬 모양 중합체, 다리걸침중합체나 그물 모양 중합체 등이 있다.

캐니스터(Canister, Bubbler)

유기금속 화합물을 저장 및 사용할 수 있도록 특별하게 제작된 Packaging 용기로 제품의 특성과 고객사의 장비 종류에 따라 크기와 모양 및 밸브 종류와 위치 등이 다양하게 설계된다.

자연발화성 물질/금수성 물질

자연발화성물질이란 공기 중에서 발화의 위험성이 있는 것을 말하며, 금수성물질 이란 물과 접촉하여 발화하거나 가연성 가스를 발생시킬 위험성이 있는 물질을 말한다.

반도체 화학 소재(반도체 재료)

반도체 소자를 직접 구성하는 재료, 소자를 완성하기 위한 제조공정 중에 사용되는 재료, 반도체 소자를 조립하여 완성품인 반도체 칩을 만드는데 사용되는 재료를 모두 지칭한다. 웨이퍼, 화학증착공정(CVD)전구체, 도포막, 스퍼터링, 타겟, 도금액 등의 기능재료가 있으며, 포토마스크, 포토레지스트(Photoresist), 화학약품, 공정가스 화학적기계연마(CMP)슬러리, 화학적기계연마패드 등의 공정재료, 인쇄회로기판 (PCB), 리드프레임, 본딩와이어, 봉지재, 솔더, 언더필, 웨이퍼접착제 등 구조재료로 분류된다.

스퍼터링(Sputtering)

집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리기판상에 막을 만드는 방법.

Target(타겟)

Sputtering 방법으로 웨이퍼 표면에 금속 박막을 입힐 때 사용되는 금속 원재료로 주로 Ti, Al, W, Ta, Cu 들이 사용된다.

포토마스크(Photomask)

리소그래피(Lithography)를 할 때에 기판에 도포된 포토레지스트에 패턴을 주기 위해 노광시, 빛의 차폐용 패턴을 말함.

CVD(Chemical Vapor Deposition)

화학증착공정(CVD)은 웨이퍼에 박막을 증착하고자 반응기 내에 여러 종류의 반응 기체를 유입시켜 이들의 화학반응을 진행함으로써 원하는 물질의 박막을 웨이퍼 상에 증착하는 공정방법임. CVD전구체는 물질의 종류와 용도에 따라 Gate/Capaci tor 유전막, 금속전극, 고유전율 절연막, 저유전율 절연막 등으로 사용되며 반도체 소자의 미세화 및 3차원 소자구조에 따른 CVD증착의 중요성 증가에 따라 기술개발 요구가 증가하고 있다.

ALD(Atomic Layer Deposition)

원자층 증착법으로 ALD 금속이 포함된 원료와 반응 가스를 교차하여 주입함으로써 박막을 성장시키는 프로세스를 말하며, 나노 스케일의 두께 제어가 가능하고 우수한 단차 도포성과 균일한 피복성을 지닌 박막을 성장시킬 수 있는 증착법으로 차세대 메모리반도체 소자인 DRAM, Flash Memory, RRAM 및 PRAM에 핵심 증착 기술로 응용되고 있다.

ALD 전구체

ALD 전구체는 반도체 소재로 사용되는 유기금속 화합물로 원자기상증착(ALD)에 사용되는 전구체이며, 기질 표면에서의 화학적 흡착과 탈착과정을 이용하여 단원자 층의 두께 제어가 가능한 새로운 개념의 증착방법으로 낮은 온도에서 단결정으로 박막을 성장시키며, 원자층 제어가 가능하다는 특·장점을 가지고 있다.

CMP 슬러리

반도체 표면을 화학적 또는 기계적 방법으로 연마하여 평탄화 하는 CMP공정에 사용되는 연마 재료로 화학첨가물을 포함한 수용액과 미립자로 분산된 연마입자로 구성되어 있다. 

포토레지스트(Photoresist)

설계된 반도체 회로를 웨이퍼 위에 전사시킬 때 빛의 조사여부에 따라 달리 감응함 으로서 미세회로 패턴을 형성할 수 있도록 하는 노광공정용 감광재료로 반도체 칩 및 TFT-LCD 등에 사용된다.

Strip

웨이퍼(wafer)에 입혀진 P.R이나 질화막 등을 벗겨내는 것을 말하며 통상, 식각완료 후 감광액을 제거하는 작업을 뜻함.

Stripper

감광액을 벗겨내는 약품.

확산방지막(Diffusion Barrier)

확산방지막은 금속배선 형성 시 금속원소나 타 불순물 원소가 절연막으로 확산되어 오염되는 것을 방지하기 위한 용도로 사용되며, 이를 위해 Ti(N), Ta(N), Ru 확산방지막용 전구체 등이 사용된다.

LED(Light Emitting Diode)

p-n접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광이 방출되는 현상인 전기발광효과를 이용한 반도체 소자이다. 쉽게 말해, 순방향으로 전기신호가 인가되면 빛을 발산하는 화합물 반도체의 일종으로 발광 다이오드라고 부르기도 한다.

다이오드(Diode)

전류가 한쪽 방향으로만 흐르는 2단자 소자.

Substrate(기판)

반도체 재료 박판(기판)을 말하며, 일반적으로 최초 공정 이전의 Wafer를 말함.

에피(Epi)

에피(Epi)라는 말은 에피택셜(Epitaxial)의 줄임말로 같은 결정구조로 2개의 층을 만드는 것을 의미함.

웨이퍼(Wafer)

규소박판으로 규소(Si)를 고순도로 정제하여 결정시킨 후 얇게 잘라낸 것으로 반도체 소자를 만드는데 사용함. (2, 4, 5, 6, 8, 12" wafer가 있음) 기판 물질의 종류에 따라 실리콘(Si)웨이퍼, 게르마늄(Ge)웨이퍼, SOI(Silicon on Insulator)웨이퍼, GaN

(Gallium Nitride)웨이퍼, SiC(Silicon Carbide)웨이퍼 등으로 분류된다. 

에피(Epi)웨이퍼

기판 위에 유기금속 화학증착장비(MOCVD)를 이용해 유기금속화합물을 얇게 증착 시킨 것.

Amorphous(비정질)

어떤 고체가 반복적 원자 배열 상태인 결정을 이루지 않고 있는 상태 즉 비정질 상태를 말하며, Silicon의 경우 제한된 생성 조건을 만들어 주면 비정질 상태가 될 수 있음.

트리메틸갈륨(TMG)

유기물 중에서 가장 간단한 메탄(CH4)에서 수소가 하나 부족한 것을 메틸기(-CH3)라고 하며 메틸기 3개를 갈륨(Ga) 한 개의 원자와 결합시킨 것을 트리메틸- 갈륨(Ga(CH3)3, Trimethyl Gallium, TMG)이라고 한다. LED 에피웨이퍼 공정에 사용 되는 핵심 소재이다.

트리메틸알루미늄(TMA)

유기물 중에서 가장 간단한 메탄(CH4)에서 수소가 하나 부족한 것을 메틸기(-CH3)라고 하며 메틸기 3개를 알루미늄(Al) 한 개의 원자와 결합시킨 것을 트리메틸- 알루미늄(Al(CH3)3, Trimethyl Aluminium, TMA)이라고 한다. TMA는 LED와 반도체, Solar등 대부분의 전자재료 외에 석유화학 촉매나 정밀화학 시약 등 거의 모든 산업 분야에 사용된다. 당사의 TMG를 제조하는데 원료로 사용된다. TMA는 초민감성 물질이라 전문적인 지식과 경험을 가진 기술자가 아니면 취급이 어려우며 제조는 더욱 어려워 전세계적으로 당사를 포함하여 오직 3개 업체에서만 제조되고 있는 물질이다.

유기금속화학증착(MOCVD)

(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) MOVPE라고도 부르며 Epi층을 성장시키 는 장비 원리는 성장에 필요한 Source를 함유한 기체를 열 분해시켜 반응물질을 기판에 달라붙게 하는 것으로서 통상적으로 원자5층 이하의 두께까지 조정 가능함.

MO Source

금속 유기화합물로 박막 증착 장비의 챔버(Chamber) 안에서 가열 된 기판 표면에 증기압이 높은 금속유기화합물 증기를 보내어 원하는 박막 성장시키는 데 사용함.

디스플레이 소재

디스플레이는 다양한 정보를 인간이 볼 수 있도록 화면에서 구현해 주는 영상 표시장치를 통칭하는 것으로 디스플레이 소재는 디스플레이와 관련된 소재 부품을 의미
패널의 제작 방식에 따라 LCD, LED, OLED, 플렉시블(Flexible) 디스플레이, 신기능 디스플레이, 융복합 디스플레이 등으로 구분된다.

OLED(유기발광소자)

OLED는 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes)를 뜻하는 말로서, 유기물을 이용한 자체발광소자를 뜻함. OLED는 사용하는 발광재료에 포함된 유기물질의 양에 따라서 저분자 OLED와 고분자 OLED로 구분되며, 구동방식에 따라서는 수동형 구동방식(passive matrix)과 능동형 구동방식(active matrix)으로 구분된다.

플렉시블(Flexible) 디스플레이

플라스틱 등 유연한 재료를 사용하여 기능의 손실 없이 자유롭게 구부릴 수 있거나 혹은 두루마리처럼 말거나 접을 수 있는 형태의 디스플레이를 의미함. 플렉시블 디스플레이는 얇고 가벼우며 깨지지 않는 장점이 있어 형태를 변형시키는 방법으로 웨어러블 디스플레이, 자동차용 디스플레이 등 다양한 수요처에 적용될 수 있음.

TFT(Thin Film Transistor)

디스플레이의 기본 단위인 픽셀(Pixel)을 제어하는, 일종의 스위치 역할을 담당하는 반도체 소자로 a-Si(Amorphous Silicon)비정질 실리콘 TFT, LTPS(Low Temperature Poly Silicon)저온 폴리 실리콘 TFT, Oxide TFT로 분류된다.

MOS

(Metal Oxide Semiconductor)

반도체 위에 산화막을 형성하고 그 위에 도선(금속)을 입힌 것으로, N-MOS와 P-MOS 등이 있음.

MOS FET(Field Effect Transistor)

전계효과 Transistor 중에서 절연막을 산화막으로 형성시킨 절연 게이트형 FET의 대표적인 것.

Multi-Chip

복합소자나 집적회로(IC)를 만들 때 2개 이상의 Chip을 사용한 것.

게이트 전극(Gate electrode)

MOSFET 구조에서 활성층의 전류를 흐르거나 흐르지 않게 조절하는 요소.

게이트 절연막(Gate dielectric)

게이트(Gate) 전극과 활성층을 분리해주는 역할을 하는 요소.

봉지(Encapsulation)

OLED에서 빛을 내는 유기물질과 전극은 산소와 수분에 매우 민감하게 반응해 발광 특성을 잃기 때문에, 이를 차단하기 위한 공정으로 ‘봉지’가 필요하며, 이를 통해 OLED 패널의 수명을 보존 또는 향상시킴.

마이크로 LED

크기가 5~30 마이크로미터에 불과한 초소형 LED칩을 발광 화소로 사용하는 2인치 이하 마이크로 디스플레이 혹은 80인치 이상 대형 디스플레이를 통칭.

양자점 LED (Q-LED)

수 나노미터 크기 이하의 초미세 반도체 나노 입자로 정의되는 양자점(Quantum Dot, QD)을 발광체로 이용한 LED로 발광 효율이 우수하고 발광 파장의 조절이 용이하며 색 순도가 높은 것이 특징임. 양자점 LED는 디스플레이 제작에 큰 영향을 주는 기술로, 중국이나 미국 등의 LCD 및 OLED 기술 격차가 좁아지는 상황에서 양자점 LED는 AMOLED 의 뒤를 이을 수 있는 차세대 디스플레이용 핵심 기술로 평가받고 있음.

D-RAM

(dynamic random access memory)

Capacitor의 정전용량을 이용한 Cell모양의 Device. D-RAM은 램(RAM)의 한 종류로 저장된 정보가 시간에 따라 소멸되기 때문에 주기 적으로 재생시켜야 하는 특징을 가지고 있으며, 구조가 간단해 집적이 용이하므로 대용량 임시기억장치로 사용된다.

낸드 플래시메모리

(Nand Flash Memory)

전원 공급이 없으면 정보를 모두 잃어버리는 휘발성 메모리 반도체인 D램, S램과 달리, 플래시메모리는 전원이 꺼지더라도 저장된 데이터를 보존하는 롬(ROM)의 장점과 손쉽게 데이터를 쓰고 지울 수 있는 램(RAM)의 장점을 동시에 지니는 비휘발성 메모리이다. 플래시메모리는 전력 소모가 적고 기존의 자기디스크에 비해 고속으로 읽기 및 쓰기가 가능하다. 이러한 특징으로 인해 디지털 카메라, 스마트폰 휴대전화, USB 드라이브 등의 다양한 휴대용 기기와 SSD(Solid State Drive)에 널리 사용되고 있다.

화합물 반도체

Si, Ge등 단일 원소가 아닌 2종류 이상의 원소가 결합하여 반도체 성질을 나타내는 화합물을 이용한 반도체로 발광다이오드와 태양전지, 고속IC 등에 사용된다.

다양한 원소의 조합방법과 조성비를 조달해서 목적에 상응하는 여러가지 화합물 반도체를 만드는 방법을 포함하며, 갈륨-비소(GaAs), 인듐-인(InP), 갈륨-인(GaP),  황화카드뮴(CdS), 텔루르화 아연(ZnTe), 황화연(PbS) 화합물 반도체등을 포함한다.

전력 반도체

전력이 필요한 기기/시스템의 작동여부 및 성능을 결정짓는 핵심부품이며 전력변환 전력변압, 전력안정, 전력분배 등 전력을 제어하기 위한 반도체.

DPT(Double Patterning Tech)재료

DPT재료는 반도체 패터닝용 희생막의 원료로 사용되는 물질이다. 빛을 조사하여 (노광) 현상(development)을 끝낸 감광액(PR)을 측면에서 바라보면 기둥 모양이다. 기둥 사이로 가스(건식)나 액체(습식)를 흘려 패턴을 새긴다. (식각)기둥 간격이 좁을수록 더 미세한 선폭 구현이 가능하다. DPT재료와 HCDS는 V낸드와 D램 공정 모두에 사용된다.

Trench 용법

기억소자에서 콘덴서를 만드는 FAB공정기술중의 하나로 좁은 면적에 용량을 극대 화하기 위하여, 도량처럼 Silicon 기판을 아래로 파서 표면적을 확대하여 콘덴서를 만드는 용법.

TSV(Through Silicon Via)

D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 뒤 수백 개의 미세 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 전극으로 연결하는 기술.

비아(Via)

두개의 금속을 사용하는 CMOS의 구조에서 두 금속선을 접속시키는 매개.

팹(Fab.)

Fabrication facility의 약자로 실리콘 웨이퍼 제조공장을 의미함. 

캐패시턴스(Capacitance)

전하를 축적할 수 있는 용량.

캐패시터(Capacitor)

전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서).

Cell(셀)

RAM이나 ROM 등 IC의 가장 작은 기억소자를 말하며 보통 Transistor, Capacitor, Resistor 등으로 구성되어 있고 1Bit의 정보를 저장할 수 있다.

Diffusion

농도차에 따라 액체나 기체가 고농도에서 저농도 쪽으로 이동함을 의미함. 확산로 반도체 웨이퍼(Wafer)에 높은 온도를 가해 불순물 B(붕소)나 P(인) 등을 확산 시키는 것을 의미하며 반도체 특성을 결정하기 위한 것임.

Doping(도핑)

반도체 웨이퍼(Wafer)에 불순물을 주입하여 P-type 또는 N-type의 반도체 특성을 만드는 것으로 박막이나 실리콘 기판에 불순물을 주입시켜 전도 특성을 향상시킬 때 사용하는 과정을 도핑(Doping), 불순물을 도펀트(Dopant)라 한다.

Etching(에칭)

식각. 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)에 필요한 부분만을 남겨놓고 불필요한 부분을 Etchant(Chemical) 또는 Gas로 녹여 내는 제작과정을 의미함.

Gate(게이트)

반도체 장치에서 MOS Transistor에 입력을 가하기 위한 단자로서 Bipolar Transistor 의 Base에 해당하는 단자를 의미함.

Hole(홀)

반도체 속에서 가전자대에 있는 전자의 이동으로 생기는 비어 있는 전자의 준위를 말하며 정공이라고 함.

Notch/Void

일반적으로 재료(기판표면)에 움푹 패인 곳이나 구멍이 뚫린 곳을 말하며 이곳에는 역학적으로 응력이 집중되는 곳이다. 반도체 분야에서 금속막 및 보호막의 유기 적인 관계에 의해 금속배선에서 일어나는 현상으로 금속배선 측벽에 쐐기형상으로 파이는 것을 Notch라 하며, 이것이 성장하여 Hole 모양을 형성한 것을 Void라 한다.

Pattern(패턴)

부품이나 디바이스의 배선 및 그들의 형태나 배치의 조합에 의해서 회로 기능을 구체화시킨 평면도형을 말한다.

Step Coverage(스텝커버리지)

각종 박막이 입혀질 때 평평한 부분에 대해 경사진 단차(Step) 부분의 입혀진 Film thickness 두께 정도의 비를 의미함.

Aspect Ratio(A/R)

박막 증착 후 박막특성을 표현할 때 사용되는 용어로 종횡비를 의미함, [h/w] height/width로 일반적으로 A/R 값이 클수록 증착하기 어렵다.

Stress(스트레스)

Wafer의 표면 특정부위에 가해지는 압력이나 힘을 말함.

Silicon Nitride

반도체 표면의 보호막 또는 FAB 공정중 산화, 이온주입 Mask로 사용되는 Si3N4로 구성된 막.

Threshold Voltage(문턱전압)

문턱전압, PN Diode나 MOS트렌지스터에서 어떤 일정 전압이 되었을 때 전류가 흐르게 되는 이 전압을 Threshold Voltage(Vth)라 한다.

Silicon Gate(실리콘게이트)

Gate에 금속 대신 다결정 규소 피막을 사용한 것이며, 고속 및 고밀도 집적회로를 제조하기 위한 MOS 기법으로 이용됨.

Oxide Film(산화막)

불순물 확산의 마스크로서도 사용되며 반도체 표면의 보호막으로도 사용될 수 있는 산화막으로서 SiO2가 가장 많이 사용되고 있다.

ONO 구조

Capacitor 전극 사이에 들어갈 절연 물질로 oxide/nitride/oxide의 3층 구조를 형성 하여 단층구조에서 발생할 수 있는 pinhole을 방지하고 breakdown 특성을 항상 시키는 한편 nitride dielectric constant가 oxide에 비해 훨씬 크기 때문에 캐패시턴스(capacitance)를 증가시킨다.

Layer

반도체 IC를 만들기 위해서는 Si-Wafer 위에 순차적으로 층(Insulator, Conductor 등)을 쌓아가면서 Photo/Etch 공정을 거치면서 원하는 Pattern을 형성하게 되는데 이러한 층들을 의미한다.

Passivation

회로가 외부의 먼지, 온도, 습도 및 긁힘으로부터 Damage를 받는 것을 방지하기 위해서 보호층을 입혀주는 공정으로 주로 Plasma CVD Oxide Nitride를 사용하며, PN 접합 표면을 습기나 불순물에 대해서 둔감하게, 즉 불활성으로 하는 방법. Wafer 표면에 외부로부터의 영향을 막기위하여 산화막 및 질화막을 입혀주는 것.

Low-k 재료

반도체 소자 선폭이 미세화됨에 따라 배선간 사이가 협소화 되고 절연막이 두 전극간의 유전체 역할의 기생 캐패시턴스가 형성되어 배선의 전류 흐름 방해 및 소자속도가 저하되게 하여 이를 제어하기 위해 낮은 유전상수의 절연체가 필요함. 일반적으로 4이하의 낮은 유전상수 값을 가진 물질로, 반도체 절연 물질로 쓰이는 산화 실리콘에 비해 향상된 절연 능력을 가지고 있는 유전체 물질을 말한다.

High-k 재료

유전율이 높은 물질을 말한다. 유전율이란 부도체(유전체)이면서도 내부에 전자기파 의 진행을 가능하게 하는 정도를 의미한다. High-k는 전류를 차단하는 것이 주 목적이므로, Gate-Insulator에 SiO2보다 높은 ε값을 갖는 물질을 사용한다. 

Laser Repair(레이져 리페어)

반도체 제품에서 Data 저장소의 일부(혹은 회로일부)가 제조공정에 의해 그 기능을 제대로 발휘하지 못할 경우 LASER를 사용해서 일정부분의 회로를 끊어 다른 Data 저장장소(혹은 다른회로)로 대체하여 제품기능에 이상 부위를 정상으로 동작할 수 있도록 회로를 교체해 주는 것.

Interconnection

일련의 BEOL(Back end of line) 공정단계(금속배선과 유전층에 의한 절연공정을 반복 해서 진행)를 통해 다층의 금속배선을 형성하는 것.

FEOL(front end of line) 공정

실리콘 에피텍시층 위에 MOSFET 트렌지스터를 형성하는 공정단계.

BEOL(back end of line) 공정

MOSFET 트렌지스터 위에 Interconnection을 위한 금속배선 및 입출력 단자를 형성 하는 공정단계.

Leakage Current(누설전류)

누설전류라고도 하며 원래 전류가 흐르지 않아야 할 곳에 전류가 흐르는 것을 말한다.

Metallization

반도체 소자와 소자를 전기적으로 상호 연결시켜 주는 것.

Module(모듈)

규칙성과 분리성을 가진 몇개의 부품 또는 소자로 구성되며 어떤 정해진 기능을 다하는 단일 부품 단위로 간주되는 조립회로이다.

Monitoring(모니터링)

공정 흐름을 감시 및 점검하는 업무.

PM(Preventive Maintenance)

장비성능유지 차원에서 설비 문제 및 손상 감소를 위하여 Manufacturing Operation 에서 정례적으로 하는 점검(사전예방정비)

Purge(정화)

불활성 가스(N2, Ar, 기타 Gas)를 불어 넣어 줌으로써 Gas 찌꺼기나 용액 찌꺼기를 빼내는 것을 말함.

QC(Quality Control)

제품 제조의 각 단계별로 제품의 품질을 검사하는 관리기법.

Qual.(Qualification)

반도체 제조의 최종 관문으로 소재의 신뢰성을 테스트하여 만족한 상태를 달성하는 것.

Quality Assurance(Q.A)

품질보증. Product나 Service가 주어진 요구를 만족시킬 것이라는 신뢰를 주기 위해 필요한 모든 계획 또는 활동을 말함.

R&D

Research and Development, 연구 개발.

Utility(유틸리티)

공기, 질소, 진공, 급수, 배기, 전원 등 플랜트의 제조공정 활동에 필요한 요소들을 통틀어 일컫는 말.



가. 회사가 영위하는 사업에 대한 이해

1) 유기금속 소재 개요

 

유기금속 화합물은 유기물 분자와 금속 원자가 결합하여 만들어진 화합물(케미칼)이며 산업적 응용성을 강조하여 유기금속 소재라고 합니다.

 

금속 원자 하나를 분리하여 유기물 분자와 결합시키면 새로운 유기금속 분자가 만들어지게 되는데 이것은 일반적인 금속의 특성과는 완전히 다른 물리적 특성을 보이게 되며, 중심에 있는 금속 원자에 결합되는 유기물 또는 무기물을 모두 가리켜 리간드(Ligand)라고 합니다. 같은 금속이라 할지라도 리간드의 종류에 따라서 금속과 리간드 간의 결합 에너지의 차이로 인해 분해되는 온도와 같은 열적 안정성이 다르게 나타나고 끓는점이나 어는점과 같은 물리적 특성도 각각 달라지게 됩니다. 특히 금속과 리간드의 결합은 금속-금속 결합보다 결합력이 약한 특징이 있고, 일반적인 순수한 금속과는 다른 화학적 반응성을 갖습니다. 유기화합물들이 갖는 다양한 물리적 성질과 화학적 성질을 이용하여 화학반응을 촉진시켜주는 촉매도 제조할 수 있으며, 유기금속 화합물이 열분해(Thermal Decomposition)가 되면 중심 금속원소와 유기물 형태의 리간드로 다시 나뉘어질 수도 있습니다. 화학적인 분해반응을 이용하는 경우, 분해 반응에 이용되는 반응물의 종류에 따라 자체의 순수한 금속, 금속산화물, 금속질화물 등을 만들어 낼 수 있어 매우 다양한 용도로 사용될 수 있습니다. 


[ 대표적인 유기 리간드의 종류 ]

이미지: 리간드
리간드

(출처 :당사 정리)


유기금속 화합물은 리간드의 종류에 따라 고체, 액체 및 기체 상태로 존재할 수 있어 이송 및 보관 등을 다양하게 할 수 있는 특징이 있으며, 유기금속화합물의 물리적 성질과 화학적 반응성을 잘 이용하면 특정 금속막 제조를 위한 원료로도 사용이 가능하여 금속 또는 금속화합물의 전달물질로서 기능을 갖게 할 수도 있는 특징이 있습니다. 반면 이들 유기금속화합물들은 금속과의 친화성이 더 높은 반응물 또는 다른 리간드와 폭발적인 반응에서부터 경미한 반응까지 다양한 반응 특성을 보여줍니다. 일반적으로 산소 및 수분과 같은 산화성 반응물들과 접촉할 경우, 자발적으로 발화(Pyrophoric) 되거나 연쇄 반응을 통해 폭발성을 갖거나 독성의 분해물을 만들 수도 있어 제조와 취급이 매우 어려운 바, 안전을 고려하여 항상 제한된 조건(일반적인 대기 조건이 아닌 완전 밀폐된 불활성 기체 조건)에서 취급 및 관리 되어야 하며, 화합물의 조성을 일정하게 유지하기 위해 각별한 주의가 필요합니다. 

 


특히 반도체나 LED와 같이 나노 사이즈의 박막을 만드는 응용 분야에서는 유기화합물의 구조, 물리적 성질, 화학적 반응성, 조성, 순도 등에 따라 박막의 전기적 성능에 매우 많은 차이가 발생하게 됩니다. 따라서 유기금속 화합물에 원하는 성질을 부여하기 위해 화합물을 디자인하고, 분해 특성을 예측하며, 응용 조건에서의 열적인 성질 및 특성에 맞게 리간드의 종류를 다양화하거나 고순도로 정제하고, 조성을 유지할 수 있도록 관리하며, 이송 및 사용상에서 문제가 없도록 특수하게 고안된 용기에 포장하는 등의 일련의 산업적 활동들은 많은 연구와 기반 기술을 필요로 합니다.




2) 유기금속 화합물의 응용 분야

 

유기금속 화합물 중에서 특히 반도체 및 디스플레이, LED, Solar 등에 사용되어 금속막이나 금속산화물 또는 금속질화물 박막을 만드는데 사용되는 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 보론(B), 루세늄(Ru), 갈륨(Ga), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf) 등의 유기금속 화합물을 전구체 또는 프리커서(Precursor)라고 하며, 석유화학의 메탈로센 촉매 분야에서 사용되는 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 유기금속 화합물을 메탈로센 컴포넌트 또는 메탈로센 컴파운드라고 합니다.


[ 당사의 사업 부분과 관련된 주요 금속 원소 ]

이미지: 금속원소
금속원소



한편, 유기금속 소재의 응용분야 중에서 당사의 사업 부분과 관련된 금속 원소들을 주기율표를 이용하여 정리하면 위 그림과 같습니다. 

 

위 그림에 표시된 것 처럼 알루미늄(Al) 금속은 LED, 촉매, 반도체, 디스플레이 분야 모두에서 사용되는 금속임을 알 수 있으며 당사의 사업은 알루미늄 유기금속화합물인 TMA (Trimethyl Aluminium) 제조로부터 출발하여 LED, 촉매, 반도체 분야 등으로 확장성을 가지고 있습니다. 

 

Ti, Zr, Hf 금속은 반도체와 촉매 두개의 사업 부분에 사용되는 금속이며, 이들 세 금속은 메탈로센 촉매의 중심금속으로 사용되고 있으며, 반도체의 고유전율 High-k 와 확산방지막으로 많이 사용되고 있습니다. 3족과 5족 원소인 Al, Ga, In, N, P, As는 LED와 반도체에 함께 사용되는 원소이며, LED 사업에서 제품화된 3족과 5족 유기금속 화합물들은 자연스럽게 반도체 분야로 적용을 확대하면서 반도체 소재 사업이 자리를 잡는데 많은 기여를 하였습니다. 당사의 사업 부분들은 이와 같은 기술적 특성으로 인하여 서로 매우 긴밀하게 연결되어 있어 강한 시너지 효과를 발휘하고 있습니다.



3) 유기금속 소재의 반응성과 응용

 

유기금속 화합물은 다양한 분야에서 응용되고 있는데 이것은 유기금속 화합물이 반응 조건에 따라 금속, 금속산화물, 금속질화물, 무기물 등으로 다양한 생성물을 생성하기 때문입니다. 특히, 다양한 유기금속 화합물 중 다양한 응용분야와 반응성을 고려해 볼 때 가장 대표적인 유기금속 화합물은 TMA라고 판단됩니다. 

 

TMA는 산업적인 용도에 따라 Al(금속), Al2O3(금속산화물), AlN(금속질화물), MAO(무기고분자) 등으로 다양하게 사용되고 있으며, 당사에서 TMA를 중심으로 여러 사업을 전개할 수 있었던 것도 TMA의 이와 같은 특성 때문이라고 볼 수 있습니다. 고온의 수소 분위기에서는 순수한 금속으로 환원되며, 산소나 오존과 반응하면 금속산화물이 제조되며, 고온 암모니아 조건에서는 금속질화물이 제조됩니다. 또한, 소량의 물과 반응하면 MAO[1]라는 무기고분자가 제조되고 다량의 물과는 수산화알루미늄(Al(OH)3)이 제조됩니다.

 


[ 대표적인 유기금속 화합물인 TMA의 반응성과 응용 ] 

반응 조건

반응 생성물

응용 분야

H2/고온

Al (금속)

LED, 반도체

O2 or O3

Al2O3 (금속산화물)

반도체, Display, Solar

NH3/고온

AlN (금속질화물)

LED, 반도체, 세라믹 전자소재

H2O/Toluene

MAO (무기고분자)

PE, PP 메탈로센 조촉매

(출처: 당사 정리)

 

4) 당사의 사업 전개 방향

 

기술과 산업이 발전하면서 새로운 유기금속 소재에 대한 요구는 계속되고 있으며, 특히, 반도체와 같이 기술이 빠르게 변하는 분야는 기존에 알려진 물질로 고객사의 요구 성능을 충분히 만족시키지 못하게 되었고 새로운 유기금속 화합물의 설계 및 제조기술은 더욱 중요하게 요구되고 있습니다. 또한 이미 알려진 물질이지만 복합적인 플랜트 설계와 제조기술이 없으면 양산이 불가능한 물질을 제조할 수 있는 기술의 확보는 국가적으로나 산업적으로 매우 중요합니다. 

 

초민감성 물질을 99.9999%이상의 초고순도로 양산 제조하여 국내외로 공급하기 위해서는 플랜트의 안전한 설계와 운영체계, 초미량 분석기술 및 품질관리체계, 제품화를 위한 Canister 설계와 운영, 물류나 안전 법규와 관련된 인증과 인허가 등 종합적인 체계와 기술이 지원되어야만 가능하기 때문에 이와 같은 수많은 개별 기술들을 통합적인 시스템으로 설계하고 운영하는 역량이 당사의 중요한 기술력이라고 할 수 있습니다.


당사는 자체 연구 개발을 통하여 LED, 메탈로센촉매, 디스플레이, Solar, 반도체 등의 소재로 사용되는 초고순도 유기금속 화합물을 양산하고 있으며 국내외 중요 고객사에 공급 중에 있습니다. 아래 그림과 같이 당사의 여러 사업 부분들은 모두 TMA에서부터 시작되어 확장되었습니다. TMA가 특정분야에 먼저 적용이 되고 그 분야와 관련된 유기금속 화합물들이 추가되면서 새로운 사업 부분이 생성되었고, 이런 과정들을 통하여 현재와 같은 구조로 사업 전개가 이루어지게 되었습니다. 따라서, 당사의 핵심 기술은 “유기금속 화합물의 설계 및 TMA 제조기술” 입니다.

 

이미지: 사업포트폴리오
사업포트폴리오


① 반도체소재 사업

반도체 소재 부분의 첫 시작은 당사의 TMA를 국내 반도체업체에 공급하면서 시작되었습니다. 당사의 핵심 인력 대부분이 반도체 소재 연구개발과 마케팅 경력을 보유하고 있어, 반도체 소재 사업에 대한 전망, 시장과 기술개발 현황 등을 명확히 인지하고 있었습니다. 2014년부터 반도체 소재 연구개발을 본격적으로 시작하였고 국내 주요 반도체 회사에 업체등록 이후 대만과 중국으로 사업영역을 확대하고 있습니다.


② 태양광소재 사업

마지막으로 사업화된 부분은 Solar용 소재이며, Solar 소재 분야의 진입은 고효율 쏠라셀을 제조하기 위하여 PERC 공정에서 Passivation Layer로 Al2O3 박막이 적용되면서 전구체로 TMA를 국내 태양광 업체 등에 공급하면서 시작하게 되었습니다.


③ LED소재 사업

당사는 2010년 LED TV가 출시되어 전세계적으로 LED 전구체가 부족하던 시점에 LED 전구체를 제조하기 위해 설립되었습니다. 사업 초기에는 기존 TMA 제조업체들이 당사의 LED 전구체 사업 진출을 막기 위해 TMA 판매를 거절하여 TMA를 수급할 수 없던 애로사항 때문에 당사는 전세계 3개 회사만이 생산하던 TMA 제조기술을 자체 개발하게 되었습니다. 어려운 과정을 거쳐 TMA양산에 성공하면서 TMA를 원료로 TMG를 안정적으로 생산하고 관련 전구체인 TEG, TMI, TMA, Cp2Mg 모두를 제품화함으로서 LED 산업에 성공적으로 진입하게 되었습니다.


④  촉매사업

LED 원료로 사용하고 남는 TMA의 수요처를 검토하면서 메탈로센 조촉매인 MAO 개발을 시작하였고 석유화학 업체의 어려운 평가 과정을 통과 후 MAO 양산에 성공하였습니다. 더불어 관련 아이템인 메탈로센 컴파운드와 담지촉매 개발까지 성공하여 촉매사업에도 안정적으로 진입하게 되었습니다. 



나. 산업의 특성

1) 반도체 소재

 

① 반도체 시장 개요

 

반도체 산업은 광의로는 반도체 소자 제조업, 소자 생산을 위한 반도체 장비 제조업 및 소자 생산용 소재를 공급하는 재료 제조업 등을 포괄하는 산업으로서, 이들 반도체 산업 각 부문은 상호 유기적인 연관하에 발전하는 특성이 있습니다. 소자, 장비, 재료(소재) 산업 각 부문은 첨단 산업으로서의 반도체 산업의 특성을 공유하는 한편 각 부문간 상이한 특징들도 있습니다.

 

- 반도체 산업은 기술집약적, 기술혁신 속도가 빠르며, 타산업으로의 파급효과가 큰 산업

반도체 산업은 기술 자체에 대한 많은 연구개발이 요구되고 있어 매출액 대비 연구개발 투자가 타산업보다 현저히 높은 산업입니다. 또한 양산 단계로의 전환시 대규모 설비 투자가 요구되는 고위험부담 산업이기도 합니다. 그리고 제품의 라이프사이클이 매우 짧기 때문에 산업이 성숙화 되어감에 따라 기술혁신 속도가 더욱 가속화되고 있습니다. 이러한 특성으로 인해 반도체 산업은 제품의 개발에서 판매까지의 시장 진출단계에 있어서 각 부문 별 타산업보다 더욱 세밀하고 조직적인 경영 전략 및 긴밀한 협업이 요구되는 산업입니다. 한편, 소자의 고집적화 기술이 급속히 발달되면서 마이크로프로세서의 응용분야가 크게 확대되어 전산산업뿐 아니라 통신기기 등 전 제조업 제품에 사용되고 있으며, 전방 산업의 발전을 이끄는 핵심 부품 산업입니다. 한편으로는 전방 산업의 발전에 의해 반도체 산업의 생산규모가 결정되고 신규 시장이 창출되기도 하는 상호 보완적인 특성을 가지고 있습니다.

 

- 전구체(Precursor) 시장은 진입장벽이 높으며, 진입 성공 시 안정적 매출 발생

반도체 소자 미세화가 진전되면서 기술적 중요도가 지속적으로 확대되고 있는 전구체(Precursor)는 반도체 제조에서 매우 중요한 요소 기술 중 하나입니다. 반도체 공정용 전구체(Precursor)는, 1) 원하는 물성의 박막 형성, 2) 높은 증착 속도, 3) 우수한 경제성(높은 공정 수율), 4) 낮은 기화온도에서 높은 증기압, 5) 기화온도에서 열적 안정성, 6) 작은 화학적 반응성, 7) 저독성, 8) 화학적 고순도, 9) 경제적이고 용이한 합성방법(높은 합성 수율), 10) 증착 온도에서 완전한 열분해 등 다양한 조건이 요구되고 있습니다.  

 

이에 제품 공급 업체 핵심 경쟁력은 박막의 물성이 해당 공정에 적합하도록 화학적으로 메카니즘을 시뮬레이션하여 실제 공정 장비에서의 적용이 원활하도록 설계하는 것에 있습니다. 또한 소재의 안정적 공급을 위한 높은 수준의 합성 및 정제 기술뿐 아니라 소자 업체 공정 변경에 신속하게 대응할 수 있는 대응력과 사후 관리 능력까지 필요하게 됩니다. 이러한 이유로 신규 업체 진입이 매우 까다로우며, 이에 반하여 반도체 소자업체로 납품이 개시 될 경우 해당 고객사 입장에서도 거래처 변경에 따른 생산 공정 차질 및 불량 발생 등 리스크가 크기 때문에 장기적으로 안정된 매출 흐름을 기대할 수 있는 특성을 지니고 있습니다.

 

- 반도체 소자업체와의 긴밀한 관계가 중요

당사가 영위하는 반도체 소재 산업의 경우 수요업체인 반도체 소자 업체와의 긴밀한 협력관계를 필요로 하는 산업입니다. 국내외 반도체 시장의 특성상 반도체 제조 회사들을 중심으로 공정재료 및 공정장비 등을 납품하는 다양한 기업들이 연결되어 생산이 이루어지고 있습니다. 이러한 특징을 바탕으로 반도체 재료와 장비는 같은 종류라 하더라도 각 반도체 소자 업체별, 제조 공정별 최적화(Customizing)가 필요합니다. 이처럼 반도체 제조업체가 요구하는 공정 조건 및 세부 스팩을 만족하는 것은 물론이며, 납품 이후에도 사후관리 및 품질관리, 신제품 개발 등을 통해 주요 거래처와의 지속적인 거래 관계를 유지하는 것이 매우 중요한 성장 기반으로 작용하게 됩니다.  

 

- 기술 중심의 빠른 대응력 중요

전방 산업인 반도체 산업은 다양화된 고객 요구에 맞는 제품을 구현하기 위해 다양한 기능의 제품이 필요하며, 빠른 신제품 개발 및 발전 속도에 대응하기 위한 신속성이 매우 중요합니다. 이에 기본적인 기반 기술을 갖추고 전방 산업 요구 특성, 변화 흐름을 잘 알고 신속하게 대응할 수 있는 업체들이 경쟁력을 갖게 됩니다. 경쟁 업체들 보다 한발 앞선 기술력을 확보하기 위해 독자 기술 개발이 필요하며 자체 생산 기술 보유 및 내재화가 경쟁력의 척도가 될 수 있습니다.

 

②  수요 변동 요인

세계 반도체 및 반도체 소재산업은 최전방 산업인 전자제품 시장 경기흐름에 연동되어 있으며, 전자제품 시장은 세계 경기 흐름에 따라 호황과 불황을 반복해 왔습니다. 당사가 영위하는 반도체 소재산업의 경우 마찬가지로 반도체 소자업체에 대한 의존도가 높아 일반적으로 소자 업체 생산계획 및 설비투자계획에 따라 영향을 받고 있으나, 반도체 소재 산업의 경우 수요 변동 요인에는 차이가 존재합니다.  

 

반도체 소재 산업은 소자업체 신규 설비투자 보다는 반도체 생산량과 밀접한 관계가 있어, 장비산업에 비하여 반도체 경기변동에 덜 민감하게 나타나고 있으며, 최근 반도체칩의 고집적, 초미세화 경향에 따라 새로운 공정에 부합된 재료의 필요성으로 인해 그 수요가 지속적으로 발생하는 특성이 있습니다. 이에 반도체 메모리 분야 수요 증대에 의한 생산설비 추가 및 반도체 FAB 신설 등 자체 투자 증대에 따른 영향이 상대적으로 크게 나타나는 편입니다.

 

③  규제 환경

반도체 케미칼 제품의 경우 최근 '화학물질관리법'과 '화학물질등록 및 평가 등에 관한 법률’에 의해 제품 생산을 위해 관할 지자체에 생산설비 및 공장 등에 대한 등록이 필요하며, 판매 허가를 득해야 합니다. 또한 제품 생산 시 발생되는 부수물질 및 폐기물은 자체 처리시설을 갖추거나 위탁하여 처리를 하여야 합니다.

 

또한 운송에 관해선 해상운송을 위해 한국선급 또는 해사 위험물관리원에서 UN 인증을 반드시 득해야 합니다. 또한 항공 운송을 위해 생활시험연구원에서 발행하는 항공 UN 인증을 득하고, 내륙운송을 위해 DOT(미국국내내륙운송인증)를 받아야 하는 등 해당 제품 생산과 납품을 위해 필수적으로 받아야 하는 인증과 규제가 많은 엄격한 시장으로 볼 수 있습니다.

 

 

2) Solar 소재

 

① 태양광 시장 개요


최근 지속적인 LCOE(Levelized Cost of Energy, 균등화발전비용)의 꾸준한 하락으로 재생에너지 발전시장은 경제성이라는 추가적인 성정동력을 얻게 되었습니다.

그 중에서도 태양광은 가장 큰 폭의 LCOE 하락을 보이며 주목을 받고 있습니다. Bloomberg NEF의 2022년 2분기 시장 전망 자료에 따르면 글로벌 태양광 시장은 2023년~2030년 연평균 16.5%대의 견고한 성장세가 전망됩니다.

 

이러한 시장 변화 속에서도 태양광 모듈 제조사는 Tier-1업체 중심의 지속적인 기술력 향상 및 생산 프로세스 개선을 통한 모듈 출력 증가와 생산원가 절감, 발전소 시스템 설치 총원가 절감 등으로 기존 에너지원 대비 태양광 에너지의 경쟁력을 지속적으로 높이고 있습니다.

 

② 수요 변동 요인

대표적인 글로벌 신성장 산업 중 하나인 태양광 산업은 글로벌 금융환경과 매우 밀접한 관계가 있으며, 아직까지 정부 보조금과 같은 산업 육성 정책 영향을 받는 특성 상, 세계 경기 상황과 밀접한 관계가 있습니다.

 

③ 규제 환경

현재 태양광산업은 산업통상자원부에서「재생에너지 3020 이행계획」 발표(’17.12) 이후, 지속가능한 태양광 보급 확대를 저해하는 각종 규제를 범부처적으로 합리적인 개선 추진 중에 있습니다.

 


3) LED 소재
 

① LED 시장 개요

LED는 Light Emitting Diode로 빛을 발산하는 소자입니다. LED산업은 재료, 가공, 조립 등의 생산기술과 광원, 광학, 기구, 방열, 회로 등의 설계기술이 복합적으로 집약된 고정밀의 자본과 기술 집약적 산업입니다. LED는 에너지 절감 효과가 뛰어난 고효율ㆍ저전력ㆍ친환경 광원으로 다양한 영역에서 적용되고 있습니다.

 

LED는 고휘도ㆍ고신뢰성 기술의 발전과 가격하락 등에 힘입어 TV, 스마트폰, 노트북, 모니터와 같은 LCD(Liquid Crystal Display)의 BLU(Back Light Unit)용 광원, 일반 조명뿐만 아니라 차량용 광원, UV와 같은 산업용 광원 등으로도 응용분야가 빠르게 확산되고 있습니다. LED는 평판Display 사업에서 LCD의 BLU용 광원으로 채용되면서 괄목할 만한 성장을 이루었으며, 글로벌 친환경 정책 강화 및 전통 조명 대비 우수한 효율과 긴 수명 등의 장점으로 인해 실내ㆍ외 조명으로 기존 램프 시장을 빠르게 대체 중입니다. 차량용 광원은 실내등 중심의 내부 조명에서 헤드램프/DRL(Daytime Running Light, 주간주행등) 등 외부 조명으로 확대 적용되고 있으며, UV는 현재 경화/노광 시장에서 살균 시장까지 적용 영역이 확대되어 지속적인 산업 성장이 예상됩니다.

 

② 수요 변동 요인

LED는 스마트폰, TV 등 완제품의 수요변화와 맞물려 영향을 받을 수 있으며, 조명, 차량 산업과도 밀접한 관계를 맺고 있습니다. 또한, 원자재 가격, 환율 및 국내ㆍ외적인 경기변동에도 간접적인 영향을 받습니다.

 

LED산업의 성장을 견인했던 LCD TV시장의 수요 정체와 판가 하락이 지속되면서 LED시장도 정체 상태에 있습니다. 그러나 LED의 적용 범위가 모바일, 노트북/모니터, 일반 조명 부문과 함께 차량 조명, 사이니지, 산업용 UV 광원 부문 등으로 확대되고 있으며, 정부의 저소비전력 권장 및 친환경정책과 LED업체들의 기술 개발 및 원가개선 노력으로 기존 조명 대비 경쟁력을 확보하면서 공공기관 및 상업용 조명 등 다양한 부문에서 수요가 증가하고 있습니다.

 

③ 규제 환경

당사는 친환경제품인 LED를 제조하는 회사로 환경물질 배출과 환경보호와 관련하여정부의 규제를 받기 보다는 정부차원의 지원과 육성을 받는 산업입니다.

 

 4) 메탈로센촉매 소재
 

① 석유화학산업 시장 개요

석유화학산업은 원유를 정제하여 생산되는 나프타 등을 원료로 사용하여 자동차 및 건설 등 전방산업에 사용되는 합성수지 등을 생산하는 기술집약적 대규모 장치 산업입니다. 아울러 제조원가의 65~85%를 원료비가 차지하여 국제유가 변화에 민감한 사업입니다.

 

석유화학산업은 세계 경기 및 수급상황에 따라 호황과 불황이 주기적으로 반복되는 경기순환형 산업이나 장기적 관점에서 점진적으로 성장하는 세계 경제와 중국 등 개발도상국의 소득수준 향상에 따라 지속적인 성장이 예상됩니다. 또한 고기능성 특수소재의 개발로 고부가가치화가 더욱 촉진될 수 있는 성장 가능성이 큰 산업입니다.

 

② 수요 변동 요인

일반적인 석유화학산업 사이클은 7~10년 주기이며, 식품 포장재 및 의류 등 다양한 소비재로 사용되어 국내 및 세계 경제성장률에 밀접하게 영향을 받습니다.

 

③ 규제 환경

석유화학 업종 특성상 대부분의 HSE 관련 규제를 받고 있습니다. 안전/보건부문으로는 산업안전보건법, 고압가스안전관리법, 위험물안전관리법 등에 영향이 있으며 환경부문으로는 화학물질 관련법규, 온실가스 배출권거래제 및 대기/수질/폐기물/토양부문 등에서 규제받고 있습니다. 국외 규제사항으로는 EU REACH 등이 존재합니다.사회적으로 HSE에 대한 관심도가 지속적으로 증가됨에 따라서 관련 법규 및 규제 수준도 꾸준히 높아지고 있습니다. 이런 대외 규제 요구사항에 대응하기 위하여 내부 안전관리 절차 강화, HSE 절차서 개정 및 직원교육 실시 등으로 실행력을 강화하고 있으며, 공정안전관리 시스템(PSM/SMS) 요건에 충족하는 활동 등의 대응 노력을 하고 있습니다. 규제에 대한 체계적인 이행수준 평가 및 인간과 환경보호를 위해 세계적인 선진화학기업을 중심으로 설립된 RC(Responsible Care) 협회 활동도 적극적으로 참여하고 있습니다.

 

  

다. 산업의 성장성

1) 반도체 소재

 

사물인터넷(IoT) 시대의 도래에 따라 주요 부품인 메모리반도체, 시스템 반도체, 화합물 반도체, AI반도체, 스마트센서 산업의 시장규모가 급속히 증대될 것으로 예측되고 이와 더불어 반도체사업의 기반인 재료산업 부문 역시 시장규모가 크게 증가할 것으로 전망됩니다. 

 

① Capacitor용 High-k 시장규모

Capacitor용 High-k 재료는 Zr과 Hf 금속을 기반으로 한 프리커서를 대상으로 하였으며 세계시장 규모는 공정의 첨단화로 재료 사용량이 증가함에 따라 High-k 재료의 수량도 증가하고 있음을 알 수 있습니다. 향후 디바이스의 공성능화, 생산 수량 증가에 따라 High-k 시장 규모는 점차 확대될 것으로 전망되고 있습니다.


② SiO2용 전구체 시장 규모

 SiO2용 전구체 시장규모는 그 범위가 매우 광범위하고 소재도 다양하기 때문에 당사가 생산하고 있는 SiO2용 전구체 및 관련 시장을 TEOS, TrisDMAS, Double Patterning(DPT용 재료), Low-k용 전구체 등의 소재를 중심으로 구분할 수 있습니다. 

 
TEOS 전구체 시장은 NAND 플래시 메모리의 3D화에 따라 공정이 증가하여 판매수량이 대폭 증가하고 있다. 플래시 메모리는 3D로 완전히 전환, 층수도 증가하는 추세이 있다. 또한 신규 증설이 계획되어 있기 때문에 앞으로도 TEOS 전구체 공급량은 계속 증가할 전망입니다.

 

TEOS 전구체 시장의 국가, 지역별 판매 동향을 살펴보면 반도체, FPD 생산이 많은 한국, 대만의 TEOS 수요가 많은 것을 확인 할 수 있으며, 중국은 PFD의 신규 증설, 3D-NAND 플래시 메모리의 생산 증가로 TEOS 판매 수량이 증가했음을 알 수 있으며, 향후 반도체와 액정 패널의 신규 증설이 계획되어 있어 TEOS의 가장 큰 수요국이 될 것으로 기대하고 있습니다. 일본에서도 3D-NAND 플래시 메모리 생산량 증가가 TEOS의 수요를 지원하고 있음을 확인할 수 있습니다.

 

TrisDMAS 전구체는 저온 공정에서 단차 피복성이 양호한 증착이 가능한 소재이며, 주로 FEOL(Front end of line) 공정의 SiO2, SiON 절연막 형성에 이용되고 있습니다. TrisDMAS 전구체 시장은 디바이스의 미세화에 따라 FEOL공정에서는 저온 증착 재료에 대한 요구가 강해지고 있어, TEOS보다 저온 공정에 적합하고 단차피복성이 양호한 소재로 채택되어 사용되고 있습니다. 주요 용도인 3D-NAND 플래시 메모리 다층화와 함께 사용량이 증가하고 있으며 공정 미세화와 함께 TrisDMAS 용도가 확대됨에 따라 현재 수량기준 시장 규모의 확대가 예상되고 있습니다. 

 

TrisDMAS 최대 수요국은 메모리 생산 수량이 많은 한국 시장입니다. 특히 3D-NAND 플래시 메모리 제조에 주로 이용되고 있으며, 앞으로 Multi Pattering에 따른 수요 증가가 예상되고 있습니다. 또한, 향후 중국에서 3D-NAND 플래시 메모리, DRAM 생산이 계획되어 있어 TriSDMAS의 수요 확대가 기대되고 있습니다.


Double Patterning, DPT용 전구체 시장은 현재 사용되고 있는 Si 전구체 중 DIPAS, BDEAS를 대상으로 하였으며 DIPAS는 OLED 봉지제(Incapsulation Layer)로도 사용되나 본 시장 자료에서는 배제되었습니다. Logic, DRAM에서는 미세화 Patterning 횟수가 증가하고 있으며 DPT용 재료의 수요도 확대되고 있습니다. 7nm 공정 이후 EUV(Extreme Ultraviolet)리소그래피에서의 Single Patterning이 검토 되고 있지만, 당분간은 Double 내지 Multi Pattering이 지속적으로 이뤄지기 때문에 DPT용 전구체 수요는 확대 될 전망입니다. 당사는 DPT용 소재로 BTBAS, DIPAS, BDEAS 등 Si 전구체 양산 기술을 보유하고 있습니다.

  

Double Patterning, DPT용 전구체는 메모리 최대 생산국이자 실리콘 웨이퍼 투입량은 많은 국내에서 사용량이 가장 많은 것으로 확인되었으며, 특히 삼성전자는 DPT용 전구체 재료의 최대 수요처임을 알 수 있다. 대만은 미세화가 진전되고 있는 Logic, DRAM의 주요 생산 지역이며, DPT용 전구체 수요가 증가 하고 있습니다.

 


③ 메탈 전구체

반도체 공정에 사용되는 메탈 전구체를 대상으로 하였으며 주요 금속은 Ti, Ta, Cu, Co, W, Ru 등이 해당된다. 메탈 전구체 세계시장 규모는 DRAM의 미세화, 생산 수량의 증가로 금액 기준 시장 규모도 확대되고 있습니다. Logic Co 재료의 채용이 진행되고 있지만, Barrier metal이나 Seed layer로 사용되기 때문에 수량은 적은 것으로 보여지며, 7nm 공정 이후 Cu 대체 재료로서 채용될 가능성도 있지만, 당분간 메탈 전구체의 수요는 DRAM의 동향에 좌우될 것으로 예상됩니다. 당사에서는 TiN 또는 Ti 용 전구체로 사용중인 TiCl4 전구체를 양산 납품중 입니다.
 

CVD/ALD 전구체 시장은 당사가 집중하는 분야로서 최근 3D-NAND & DPT 공정이 본격 적용되면서 수요가 매우 빠르게 성장하고 있습니다. Applied Material에 따르면 3D-NAND 공정에서 Etching 공정은 기존 Planar-NAND 대비 30~40%, 증착 공정은 50~60% 정도 Step이 증가할 것이며, 특히, 높은 종횡비에서 균일한 공정을 수행해야 하는 증착 공정은 계단식의 셀 적층 과정에서 Step이 급증함에 따라, 그 수율이 3D-NAND의 전체 생산성에 Critical한 영향을 미칠 것으로 예상되고, 따라서 해당 공정의 소재와 장비의 중요성은 이전보다 더욱 증가할 것으로 판단되며, 향후 적층 단수가 늘어나면서 공정 Step 증가로 인한 소재 소요량은 가파른 확대가 예상됩니다. 삼성전자와 하이닉스가 메모리 분야 주요 업체로 3D-NAND와 DPT/QPT를 이용하여 양산을 하고 있고 생산량을 빠르게 늘리고 있어서 전구체 시장의 성장이 예상되고 있습니다. 

 

CVD/ALD 전구체 수요는 반도체 소자의 미세화, 고집적화 및 적층화가 진행되면서 크게 증대되고 있습니다. 메모리 반도체 주요 생산국인 우리나라의 경우 반도체 소자업체와의 협업 구조를 통해 신규 소재개발과 평가가 용이하여 비교적 안정적인 사업 여건으로 판단됩니다. CVD/ALD 전구체 시장은 신규 기업체의 시장 진입이 매우 까다로운 제한점이 존재하지만 그럼에도 불구하고 성공적인 시장진입이 이루어진 경우에는 매우 안정적인 매출로 연결될 수 있는 분야입니다. 

 

 

2) Solar 소재


글로벌 태양광 시장은 코로나 영향에도 불구하고 각국의 저탄소 정책에 기반하여 태양광 에너지의 확대 기조는 유지될 것으로 전망됩니다. 글로벌 태양광 시장은 고유가 상황 및 러시아-우크라이나 사태에 따른 에너지 안보 측면에서 태양광 발전의 중요성이 더욱 부각됨에 따라 태양광 수요가 지속적으로 확대될 것으로 전망됩니다.


3) LED 소재

 

LED업계는 지속적인 수용의 성장에도 불구하고, 중국업체들의 무분별한 진입에 따른 과잉 공급 발생 등으로 최근 수년 간 어려움을 겪었으며, 가격 하락 폭이 정상적인 수준에서 움직이며 안정세를 보이고 있는 상황입니다.

코로나19 영향으로 위축됐던 LED 시장 역시 2021년 다시 반등세로 돌아설 것이란 전망이 나오고 있습니다. 시장조사 기관 옴디아는 글로벌 LED 시장 규모가 2020년 125억달러(약 14조원)에서 2025년 143억달러(약 16조원)까지 증가하며 연평균 2.8% 성장률을 기록할 것으로 전망하고 있습니다.

   

 

4) 메탈로센촉매 소재

 

글로벌 촉매시장은 세계 경제 상황 및 각 제품별 수급 상황에 영향을 받으며 성장하는 사업입니다. 특히 중국 수요가 많은 관계로 중국의 경제 성장 상황과 밀접한 관련이 있습니다. 단, 이러한 경영 환경은 국제 유가, 환율, 관련 업체의 신/증설 계획 등 대외 주요 변수의 영향으로 변동될 수 있습니다.

  

Total, ExxonMobil, Dow Chemical, LyondellBasell, BASF, BP, Shell, Braskem, Mitsui Chemical, Mitsubishi Chemical, Sabic, Prime Polymer, Japan Polyethylene, Asahi Kasei Chemicals 등 글로벌 메이저 기업들도 메탈로센 공정을 확대 중이며, 메탈로센 공정을 적용한 제품 생산은 주로 북미와 중남미, 유럽에 집중되어 있으나 2014년부터 아시아 지역 생산설비가 확대되고 있습니다.

 

국내에서 LG화학이 국내 기업으로는 처음으로 메탈로센 촉매에 개발을 시작하였고 mLLDPE, mHDPE 그리고 POE(Elastomer)를 생산하고 있고 최근 mPP 생산을 시작하였습니다. 당사는 2016년부터 상용촉매제조 설비를 이용하여 mPP 촉매 전량을 제조하고 있습니다. 대림의 경우 2007년부터 자체 개발한 메탈로센 촉매를 이용하여 mLLDPE와 mHDPE를 생산하고 있으며, KNC(Korea Nexlene Company)는 2014년 하반기부터 mLLDPE와 POE(Elastomer)를 생산하고 있습니다. KNC에서 자체 개발한 촉매는 당사에서 OEM으로 제조하여 공급하였습니다. 한화케미칼도 메탈로센 촉매를 자체 개발하고 있으며 2016년부터 당사가 담지촉매를 OEM 제조하여 공급하였습니다. 롯데케미칼도 자체 개발한 촉매를 사용하여 해외 공장에서 시생산을 진행하고 있습니다. 

 

촉매는 제품 품질에 직접적인 영향을 미치기 때문에 진입장벽이 높고 품질관리가 어렵지만 시장 진입에 성공하면 꾸준한 매출을 기대할 수 있습니다. 당사는 수급이 가장 어려운 MAO을 자체 생산하여 외부 판매 및 자가 소비용으로 이용하고 있고 촉매 컴파운드와 담지촉매를 제조할수 있는 기반기술을 모두 확보하고 있으며 다양한 Process에 상업 적용한 경험을 보유하고 있어서 적극적인 시장 확대 전략을 추진하고 있습니다.

  


라. 경쟁현황

1) 반도체 소재

 

반도체 전구체 시장은 최근 미세화 공정이 10나노대로 진입하고 3D-NAND 메모리가 양산되기 시작하면서 ALD 공정이 확산되고 신규 공정이 추가되면서 급격하게 사용량이 증가하고 있습니다. 

 

따라서, 전구체 사업을 추진하는 업체가 많이 생겨났고, 현재 국내에서 영업 중인 업체의 수는 대략 10여개 업체를 넘고 있습니다. 외국계 업체로는 Air Products, Linde, Air Liquid, Adeka, Trichem, BASF, Entegris 등이 있고, 국내업체로는 유피케미칼, 디엔에프, 덕산테코피아, 솔브레인, 메카로, 오션브릿지, 원익머티리얼즈, SK케미칼, 한솔케미칼 등이 있으며 경쟁이 매우 치열한 상황입니다.

 

 

2) Solar 소재

  

전세계적인 Solar 판넬 수요는 중국을 포함한 각국 정부의 보조금 감소로 다소 둔화세로의 전환이 예상되나 광전 전환율이 높은 고효율 Cell에 대한 수요는 지속 증가되어가는 만큼 PERC 공정 적용 Solar Cell이 시장의 Major 기술이 되었습니다.

고효율 솔라셀의 수요는 16년부터 본격적으로 증가하기 시작하였고 시장의 성장과 함께 당사의 Solar TMA에 매출도 함께 증가되고 있습니다.


3) LED 소재

 

당사가 LED 전구체 시장에 진입하기 전에는 Dow Chemical, SAFC, Akzo Nobel, NATA 등의 몇몇 외국 회사만이 제조기술을 보유하고 있었고 전량 수입에 의존하고 있었습니다. 당사는 2011년 LED 전구체 제조 기술을 개발하고 우수한 품질과 경쟁력을 확보함으로써 시장 진입에 성공하였습니다. 핵심 원료인 TMA를 자체 생산함으로써 가격 경쟁력을 확보하게 되었고 LED 전구체 5종을 모두 생산하여 풀패키지로 공급함으로써 고객의 요구에 보다 효과적인 대응이 가능하게 되었습니다.

 

2009년부터 한국, 중국, 대만, 일본을 중심으로 LED 투자가 빠르게 이루어지면서 사파이어 웨이퍼나 MO 전구체와 같은 핵심 원재료의 일시적인 공급부족을 겪었으나 2011년 하반기부터 공급우위가 시작되어 최근까지 지속적인 가격하락이 이루어졌습니다.


Yole Development는 2019년 스마트워치를 시작으로 마이크로 LED 디스플레이가 적용되기 시작하여 HMD, 스마트폰과 태블릿, 노트북/모니 터, TV 등 대형기기 순으로 기존 디스플레이 시장을 침투해 나갈 것으로 전망했습니다.


현재 주요 글로벌 공급자로 당사(한국), Akzo Nobel(네덜란드), Merck(구. SAFC, 미국), Lanxess(구. Daystar, 독일)가 있고 지역공급자로 중국의 NATA, Argosun, Pureopto, Jaiying, 일본의 우베케미칼이 있습니다. 

 

4) 메탈로센촉매 소재
 

메탈로센촉매는 컴파운드와 조촉매(MAO와 Borate) 그리고 담지촉매 이렇게 3개 부분으로 구성되어 있습니다. 컴파운드 제품은 특허권이 만료되어 상업화된 제품과 특허권이 유효하여 OEM 생산을 하는 제품으로 나누어져 있습니다. 일반적으로 폴리머 회사에서 촉매의 구조나 제조 Recipe는 가장 중요한 보안사항으로 관리하므로 폴리머 제조사와 촉매 제조사는 비밀준수계약을 맺고 제조하여 공급하게 됩니다. 컴파운드 제조업체는 레이크머티리얼즈, SPCI, Univation, Grace, Lanxess, Koei 등이 있고 개별 기업의 컴파운드 생산규모는 확인이 어렵습니다. 

 

MAO의 제조업체는 Grace, Lanxess, 그리고 레이크머티리얼즈, Tosoh Finechemical, Akzo Nobel까지 모두 5개 업체입니다. 현재 전세계적으로 메탈로센 촉매 시장의 성장속도는 안정적이고 꾸준한 성장을 지속하고 있습니다. 

  

담지촉매를 제조하기 위해서는 MAO가 필수적으로 필요하고 또한 재료비중에서 MAO의 비중이 가장 크고 제조업체가 제한되어 있기 때문에 메탈로센 담지촉매 사업의 장기적인 성장은 MAO의 생산 유무가 아주 중요한 변수가 될 것으로 예상됩니다. 유럽 주요 PE와 PP 생산업체인 Total사가 당사와 메탈로센 촉매 OEM 생산을 추진했던 가장 큰 이유도 당사가 TMA와 MAO를 모두 생산하고 있기 때문입니다. 따라서 당사의 담지촉매 사업 전략은 해외 메탈로센 폴리머 및 촉매 회사와 제휴를 맺고 당사의 MAO를 이용하여 담지촉매까지 직접 제조하여 공급하는데 집중할 계획입니다.

 

Univation Technologies은 ExxonMobil Chemical 과 Dow Chemical Company와의 촉매 전문 Joint Venture 회사로(현재는 Dow Chemical 100% 지분) 담지촉매 사업을 매우 활발히 진행하고 있고 미국과 중국에 촉매 생산공장을 가지고 있으며 미국공장에서 메탈로센 담지촉매까지 제조하고 있습니다. 일본 Mitsui Chemicals은 일본 촉매제조 공장에서 Z-N촉매를 포함해 메탈로센 담지촉매까지 제조하고 있으며, BASF는 미국과 유럽에 촉매 생산공장을 가지고 있으며, Tosoh Fine Chemical은 일본에, Grace는 미국과 유럽, 한국에 촉매생산 공장을 보유하고 있습니다. 촉매 회사들은 자사가 개발한 촉매를 제조해 공급도 하지만 Toll base 로 Licensor의 촉매를 생산해주기도 합니다.

  

 
마. 신규 사업

당사는 현재 추진 중인 신규사업은 (주)레이크테크놀로지에서 반도체용 특수가스와 이차전지 전고체 전해질 원료 분야 소재를 개발 및 공급하기 위해 업체 평가,  생산시설 증설을 완료하여 시운전중에 있습니다.
또한 당사는 사업영역의 확장 및 거래선 다변화를 위하여 신규제품을 지속적으로 개발하고 있습니다.


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